[发明专利]一种实现金属-锗接触中锗衬底表面费米能级解钉扎的方法无效
| 申请号： | 201210004176.5 | 申请日： | 2012-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN102543755A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 蒋玉龙;于浩;谢琦;茹国平;屈新萍;李炳宗;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 实现 金属 接触 衬底 表面 费米 能级 解钉扎 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种实现金属-锗接触中锗衬底表面费米能级解钉扎的方法，其特征在于是在金属-锗接触中的锗衬底表面，通过NH3等离子体处理的方法形成一层厚度为小于1nm的GeOxNy层，x=0.92,y=0.08，在修复锗衬底表面界面态的同时抑制电极金属功函数尾部向锗衬底的渗透。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于具体步骤为：
（1）、基于已经过CMOS全部前道工艺，下一步需要进行源漏金属接触的锗基NMOS器件，或者HF溶液漂洗并已用去离子水冲洗的洁净表面锗片；
（2）、利用NH3等离子体处理锗衬底表面，形成GeOxNy介质层膜；
（3）、 利用PVD技术，通过掩膜或者光刻技术在衬底表面制备一定尺寸的金属电极。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于步骤（2）中所述的等离子体采用电感耦合等离子体源制备，射频500~600W，反应腔体采用原子层淀积或者反应离子刻蚀腔，反应温度200~300℃，反应时间20~40s。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于步骤（3）中所述的电极金属为Al、Mg、Yb、Er较低功函数金属，淀积后不再进行后淀积退火步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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