[发明专利]一种晶体硅太阳电池去磷硅清洗液及清洗方法无效
| 申请号： | 201210002453.9 | 申请日： | 2012-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN102560498A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 孙良欣;陈壁涛;农艳芬 | 申请（专利权）人： | 天长吉阳新能源有限公司 |
| 主分类号： | C23F1/24 | 分类号： | C23F1/24 |
| 代理公司： | 北京市商泰律师事务所 11255 | 代理人： | 毛燕生 |
| 地址： | 239300 安徽省滁州*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶体硅太阳电池去磷硅清洗液及清洗方法，一种晶体硅太阳电池去磷硅清洗液由氢氟酸和表面活性剂组成；其中氢氟酸的体积分数为6％-10％，表面活性剂的体积分数为0.016％-0.04％；纯水的体积分数为89.96％--93.984％。将所述的清洗液温度控制在20-30℃之间，然后将硅片放入清洗液中的反应时间为200-400s。使用本发明方法能够更好将扩散产生磷硅玻璃清洗干净，并能够通过化学方法彻底解决槽式去磷硅设备在PECVD镀膜后产生的花篮齿印及由于慢提拉拉不干引起的其他问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体 太阳电池 去磷硅 清洗 方法 | ||
【主权项】：
一种晶体硅太阳电池去磷硅清洗方法，其特征在于含有以下步骤：(1)配制晶体硅太阳电池去磷硅清洗液，由氢氟酸和表面活性剂组成；其中氢氟酸的体积分数为6％‑10％，表面活性剂的体积分数为0.016％‑0.04％，纯水的体积分数为89.96％‑‑93.984％；将所述的清洗液温度控制在20‑30℃之间，然后将硅片放入清洗液中的反应时间为200‑400s；(2)清水槽洗掉硅片上残留的清洗液，工艺时间为20‑50s；(3)慢提拉脱水；(4)放入烘箱将硅片烘干。
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