[发明专利]一种晶体硅太阳电池去磷硅清洗液及清洗方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种晶体硅太阳电池去磷硅清洗液及清洗方法，用于去除扩散后硅片表面产生的磷硅玻璃，以及花篮印、白线条、水痕印的去除，属于太阳能晶硅电池片制造领域。

背景技术

太阳能电池片生产过程中，将硅片在扩散后形成一层含有磷和二氧化硅的磷硅玻璃层彻底清洗干净是提高晶体硅太阳电池效率的途径之一，但现有的氢氟酸体系对磷硅玻璃的清洗过程中有很大不稳定性，采用慢提拉处理的槽式去磷硅设备在硅片清洗过程中由于小花篮锯齿处难以拉干，导致与花篮锯齿处接触的硅片表面附着水，在烘干时再次被氧化，形成花篮印，镀膜后呈现明显的花篮锯齿状印记。同时慢提拉拉不干还会导致硅片表面挂水从而产生白线条、水痕印的产生。这些因素会严重影响电池片成品外观。

发明内容

本发明的目的在于提供一种晶体硅太阳电池去磷硅清洗液及清洗方法。本发明解决槽式去磷硅设备在PECVD等离子增强化学气相沉积镀膜后产生的花篮齿印及由于慢提拉拉不干引起的其他问题。

本发明涉及一种晶体硅太阳电池去磷硅清洗液，由氢氟酸和表面活性剂组成，将硅片表面磷硅玻璃完全去除干净的同时可以避免花篮印、白线条、水痕印等不良片的产生。

本发明的技术方案是，一种晶体硅太阳电池去磷硅清洗方法；含有以下步骤：

(1)配制晶体硅太阳电池去磷硅清洗液，由氢氟酸和表面活性剂组成；其中氢氟酸的体积分数为6％-10％，表面活性剂的体积分数为0.016％-0.04％，纯水的体积分数为89.96％--93.984％；将所述的清洗液温度控制在20-30℃之间，然后将硅片放入清洗液中的反应时间为200-400s；

(2)清水槽洗掉硅片上残留的清洗液，工艺时间为20-50s；

(3)慢提拉脱水；

(4)放入烘箱将硅片烘干。

一种晶体硅太阳电池去磷硅清洗液，由氢氟酸和表面活性剂组成；其中氢氟酸的体积分数为6％-10％，表面活性剂的体积分数为0.016％-0.04％；纯水的体积分数为89.96％--93.984％。

所述的表面活性剂为烷基酚型表面活性剂或E0POEO型嵌段共聚物的一种或几种；如十二烷基酚聚氧乙烯醚、壬基酚聚氧乙烯醚等。

采用上述方法后，本发明与现有技术相比，具有一下显著优点：因为加入了表面活性剂降低了溶液在硅片表面的表面张力，使磷硅玻璃清洗得更彻底。由于表面活性剂的加入，可以彻底去除硅片表面的磷硅玻璃，同时可以解决槽式去磷硅设备由于慢提拉拉不干引起的花篮印、白线条、水痕印等问题。

作为改进，所述去磷硅清洗液的温度控制在20-30℃之间，在这个温度范围内使用本发明的清洗效果更好。

作为进一步改进，所述的硅片去磷硅清洗液的清洗时间为200-400s，在这个时间区内使用本发明的清洗效果更好。

本发明优点：提供一种稳定的去磷硅玻璃清洗液，及解决槽式去磷硅设备在PECVD镀膜后产生的花篮齿印及由于慢提拉拉不干引起的其他问题，如白线条、水痕印等。避免外观不良、返工片的产生，提高生产效率。

附图说明

当结合附图考虑时，通过参照下面的详细描述，能够更完整更好地理解本发明以及容易得知其中许多伴随的优点，但此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本发明的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定，其中：

图1是表示作为本发明去磷硅工艺流程图。

具体实施方式

参照图1对本发明的实施例进行说明。

显然，本领域技术人员基于本发明的宗旨所做的许多修改和变化属于本发明的保护范围。

本发明提供一种稳定的去磷硅玻璃清洗液，由氢氟酸和表面活性剂组成；其中氢氟酸的体积分数为6％-10％，表面活性剂的体积分数为0.016％-0.04％；纯水的体积分数为89.96％--93.984％。将所述的清洗液温度控制在20-30℃之间，硅片在清洗液中的反应时间为200-400s。

下面结合具体实例对本发明做进一步说明，但本发明不局限于一下实施例。如图1所示；一种晶体硅太阳电池去磷硅清洗方法。

实施例1，

(1)配制晶体硅太阳电池去磷硅清洗液，由氢氟酸和表面活性剂组成；其中氢氟酸的体积分数为10％，表面活性剂的体积分数为0.016％；纯水的体积分数为89.96％。将所述的清洗液温度控制在20℃之间，然后将硅片放入清洗液中的反应时间为400s；

(2)清水槽洗掉硅片上残留的清洗液，工艺时间为50s；