[发明专利]一种改善光性能的欧姆接触电极的制造方法无效
| 申请号： | 201210001595.3 | 申请日： | 2012-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN102569584A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 杨继远 | 申请（专利权）人： | 杨继远 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/40 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100081 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明是一种用接触合金、光高透过率材料ITO及SiO2材料，在半导体材料(如：外延片)表面形成点状(dots)欧姆接触层的制备方法。此方法包括以下步骤：先在半导体材料(如：外延片)表面蒸发点状(dots)接触合金AuBe，经过光刻、蚀刻处理后进行热处理，使过渡金属氧化，随后再在表面蒸发ITO和SiO2，通过光刻、蚀刻技术工艺完成欧姆接触电极的制作。使用本发明可增大半导体器件的发光面积，提高外量子效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 性能 欧姆 接触 电极 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种改善光性能的欧姆接触电极的制造方法，其特征在于：在外延片表面蒸发薄层的AuBe合金，经过光刻、蚀刻工艺在外延层表面形成点状(dots)欧姆接触层。
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