[发明专利]一种改善光性能的欧姆接触电极的制造方法无效
| 申请号： | 201210001595.3 | 申请日： | 2012-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN102569584A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 杨继远 | 申请（专利权）人： | 杨继远 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/40 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100081 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 改善 性能 欧姆 接触 电极 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种改善光性能的欧姆接触电极的制造方法，其特征在于：在外延片表面蒸发薄层的AuBe合金，经过光刻、蚀刻工艺在外延层表面形成点状(dots)欧姆接触层。
2.根据权利要求1所述的改善光性能的欧姆接触电极的制造方法，其特征在于：合金化温度在450℃～500℃之间，合金化时间为5～12分钟。
3.根据权利要求2所述的改善光性能的欧姆接触电极的制造方法，其特征在于点状(dots)欧姆接触层(AuBe合金)的尺寸为10微米-20微米。
4.根据权利要求3所述的改善光性能的欧姆接触电极的制造方法，其特征在于：在外延片表面沉积ITO与SiO2薄层。
5.根据权利要求1、2、3或4所述的改善光性能的欧姆接触电极的制造方法，其特征在于：外延片表面首先蒸发点状(dots)欧姆接触层，通过光刻、蚀刻工艺对图形进行处理，接触进行合金化处理，合金温度为：450℃～500℃，合金化时间为：5～12分钟，然后蒸发、沉积ITO、SiO2层。
6.根据权利要求4所述的改善光性能的欧姆接触电极的制造方法，其特征在于：在外延片表面沉积ITO为薄层、SiO2为薄层。
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