[发明专利]一种等离子体增强化学气相沉积微晶硅薄膜的方法

摘要

一种等离子体增强化学气相沉积微晶硅薄膜的方法属于等离子体应用技术领域。本发明涉及一种采用空心阴极增强等离子体化学气相沉积工艺制备微晶硅薄膜的方法，尤其是利用微空心阴极阵列电极结构可以增加等离子体密度进而提高薄膜的沉积速率。这种电极结构可以提高放电效率，进而提高单体裂解率，增加空间里的活性基团浓度，大大提高薄膜的沉积速率，并可降低沉积温度。

主权项

一种等离子体增强化学气相沉积微晶硅薄膜的方法，其特征在于：应用以下装置，该装置包括配气系统(1)、真空腔室(2)、阵列式空心阴极上电极(3)、平板式接地下电极(4)、抽真空系统(5)、电源系统(6)，所述阵列式空心阴极上电极(3)带有多个均匀分布的直径范围为1‑3mm的通孔，相邻的孔的间距为2‑4mm，阵列式空心阴极上电极(3)与平板式接地下电极(4)之间的间距为5‑20mm，阵列式空心电极(3)连接配气系统(1)的供气管道；所述式空心阴极阵列电极(3)的接线柱连接到所述电源系统(6)的高压电极一端，并与所述装置的真空腔室、平板式接地下电极保持绝缘，所述电源系统(6)的接地端连接到所述真空腔室(2)和所述平板电极(4)上；包括以下步骤：配气系统(1)以脉冲交替的周期循环方式向所述阵列式空心电极(3)供气，来自所述配气系统(1)的气体先通过所述阵列式空心电极(3)上的通孔，再进入真空腔室(2)；在所述阵列式空心阴极电极(3)和所述平板电极(4)之间施加电压，将气体电离产生等离子体进行薄膜沉积，等离子体放电功率30～400W。