[发明专利]制造半导体器件的方法无效
| 申请号： | 201180075547.2 | 申请日： | 2011-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN104054186A | 公开（公告）日： | 2014-09-17 |
| 发明（设计）人： | O·考诺恩楚克 | 申请（专利权）人： | 索泰克公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L23/31;H01L29/32;H01L21/30;H01L21/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 吕俊刚;刘久亮 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种制造用于半导体器件的基板的方法，用于半导体器件的基板包括具有不同电特性的第一层(5)与第二层(7)之间的界面区(9)、以及暴露表面(13)，其中至少第二层(7)包括多个缺陷和/或位错，该方法包括以下步骤：a)移除缺陷和/或位错的一个或多个位置处的材料，从而形成坑(13a-13d)，其中坑与界面区(9)相交，以及b)将坑(13a-13d)钝化。本发明也涉及一种对应的半导体器件结构。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种制造用于半导体器件的基板的方法，所述用于半导体器件的基板包括具有不同电特性的第一层(5)与第二层(7)之间的界面区(9)、以及暴露表面(13)，其中至少所述第二层(7)包括多个缺陷和/或位错(11a，11b，11c)，所述方法包括以下步骤：a)移除所述缺陷和/或位错(11a，11b，11c)的一个或多个位置处的材料，从而形成多个坑，其中所述坑与所述界面区(9)相交，以及b)将所述坑钝化。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索泰克公司，未经索泰克公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201180075547.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：发电机装配定位装置
- 下一篇：楼宇废水循环利用系统的智能控制电路
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
