[发明专利]片上电容器及其组装方法有效
| 申请号： | 201180075204.6 | 申请日： | 2011-10-01 |
| 公开（公告）号： | CN103959463A | 公开（公告）日： | 2014-07-30 |
| 发明（设计）人： | M·A·蔡尔兹;K·J·费希尔;S·S·纳塔拉詹 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L29/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 张晰;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种片上电容器，在后端金属化体之上的无源层中制造有半导电衬底。在片上电容器中配置有至少三个电极，电源通孔和接地通孔与至少三个电极中的至少两个耦合。第一通孔具有到第一电极、第二电极和第三电极中的至少一个的第一耦合配置，第二通孔具有到第一电极、第二电极和第三电极中的至少一个的第二耦合配置。 | ||
| 搜索关键词： | 电容器 及其 组装 方法 | ||
【主权项】：
一种片上电容器，包括：半导电衬底，其包括有源表面和背部表面；布置在所述有源表面上的后端金属化体；布置在所述后端金属化体上的无源结构，其中所述无源结构包括：平行平面的至少第一电极、第二电极和第三电极；第一通孔，其具有到所述第一电极、第二电极和第三电极中的至少一个的第一耦合配置；以及第二通孔，其具有到所述第一电极、第二电极和第三电极中的至少一个的第二耦合配置，其中所述第一耦合配置不同于所述第二耦合配置。
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