[发明专利]半导体装置及其制造方法、电源装置有效
| 申请号： | 201180074074.4 | 申请日： | 2011-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN103875073A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 冈本直哉 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336;H01L27/04;H01L29/12;H01L29/47;H01L29/78;H01L29/872 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 金世煜;苗堃 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置，其包含具有使多个量子点层（8）层叠而成的结构的漂移层（2），所述量子点层（8）具有含有InxGa1-xN（0≤x≤1）的量子点（6）以及埋置量子点、含有n型Inx（GayAl1-y）1-xN（0≤x≤1、0≤y≤1）的埋置层（7）。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 电源 | ||
【主权项】：
半导体装置，其包含具有使多个量子点层层叠而成的结构的漂移层，所述量子点层具有包含InxGa1‑xN（0≤x≤1）的量子点以及埋置所述量子点、含有n型Inx（GayAl1‑y）1‑xN（0≤x≤1、0≤y≤1）的埋置层。
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