[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

在SRAM存储单元中的存取栅电极（AG1）的正下区域，以与源极‑漏极区域（SDS）相邻的方式形成有晕圈区域（AHS），以与源极‑漏极区域（SDB）相邻的方式形成有晕圈区域（AHB）。在激励栅电极（DG1）的正下区域，以与源极‑漏极区域（SDS）相邻的方式形成有晕圈区域（DHS），以与源极‑漏极区域（SDE）相邻的方式形成有晕圈区域（DHE）。晕圈区域（AHS）的杂质浓度设定得比晕圈区域（AHB）的杂质浓度高，晕圈区域（DHS）的杂质浓度设定得比晕圈区域（DHE）的杂质浓度高。晕圈区域（AHB）的杂质浓度与晕圈区域（DHE）的杂质浓度不同。

主权项

一种半导体器件，具有静态随机存储器，所述半导体器件的特征在于，包括：存储节点(SN、/SN)，其包括存储数据的第1存储节点(SN)及存储数据的第2存储节点(/SN)；位线对(BL、/BL)，其进行数据的输入输出；接地布线(VSS)，其被施加接地电位；在半导体衬底(SUB)的主表面上的规定区域通过元件隔离绝缘膜而分别规定出的第1元件形成区域(FRN)及第2元件形成区域(FRP)；存取晶体管(AT1、AT2)，其形成在所述第1元件形成区域(FRN)，且包括：相互隔开距离的第1导电型的第1源极‑漏极区域(SDB)及第1导电型的第2源极‑漏极区域(SDS)、以及位于被所述第1源极‑漏极区域(SDB)和所述第2源极‑漏极区域(SDS)夹持的区域上的存取栅电极(AG1、AG2)；和激励晶体管(DT1、DT2)，其形成在所述第1元件形成区域(FRN)，且包括：相互隔开距离的第1导电型的第3源极‑漏极区域(SDS)及第1导电型的第4源极‑漏极区域(SDE)、以及位于被所述第3源极‑漏极区域(SDS)和所述第4源极‑漏极区域(SDE)夹持的区域上的激励栅电极(DG1、DG2)，所述存取晶体管(AT1、AT2)具有：第2导电型的第1晕圈区域(AHB)，其具有第1杂质浓度，在所述存取栅电极(AG1、AG2)的正下区域，以与电连接在所述位线对(BL、/BL)的规定位线上的所述第1源极‑漏极区域(SDB)相邻的方式形成；和第2导电型的第2晕圈区域(AHS)，其具有第2杂质浓度，在所述存取栅电极(AG1、AG2)的正下区域，以与电连接在所述存储节点(SN、/SN)上的所述第2源极‑漏极区域(SDS)相邻的方式形成，所述激励晶体管(DT1、DT2)具有：第2导电型的第3晕圈区域(DHS)，其具有第3杂质浓度，在所述激励栅电极(DG1、DG2)的正下区域，以与电连接在所述存储节点(SN、/SN)上的所述第3源极‑漏极区域(SDS)相邻的方式形成；和第2导电型的第4晕圈区域(DHE)，其具有第4杂质浓度，在所述激励栅电极(DG1、DG2)的正下区域，以与电连接在所述接地布线(VSS)上的所述第4源极‑漏极区域(SDE)相邻的方式形成，所述第2杂质浓度比所述第1杂质浓度高，所述第3杂质浓度比所述第4杂质浓度高，所述第1杂质浓度和所述第4杂质浓度设定成不同的杂质浓度。