[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，具有静态随机存储器，所述半导体器件的特征在于，包括：

存储节点（SN、/SN），其包括存储数据的第1存储节点（SN）及存储数据的第2存储节点（/SN）；

位线对（BL、/BL），其进行数据的输入输出；

接地布线（VSS），其被施加接地电位；

在半导体衬底（SUB）的主表面上的规定区域通过元件隔离绝缘膜而分别规定出的第1元件形成区域（FRN）及第2元件形成区域（FRP）；

存取晶体管（AT1、AT2），其形成在所述第1元件形成区域（FRN），且包括：相互隔开距离的第1导电型的第1源极-漏极区域（SDB）及第2源极-漏极区域（SDS）、以及位于被所述第1源极-漏极区域（SDB）和所述第2源极-漏极区域（SDS）夹持的区域上的存取栅电极（AG1、AG2）；和

激励晶体管（DT1、DT2），其形成在所述第1元件形成区域（FRN），且包括：相互隔开距离的第1导电型的第3源极-漏极区域（SDS）及第4源极-漏极区域（SDE）、以及位于被所述第3源极-漏极区域（SDS）和所述第4源极-漏极区域（SDE）夹持的区域上的激励栅电极（DG1、DG2），

所述存取晶体管（AT1、AT2）具有：

第2导电型的第1晕圈区域（AHB），其具有第1杂质浓度，在所述存取栅电极（AG1、AG2）的正下区域，以与电连接在所述位线对（BL、/BL）的规定位线上的所述第1源极-漏极区域（SDB）相邻的方式形成；和

第2导电型的第2晕圈区域（AHS），其具有第2杂质浓度，在所述存取栅电极（AG1、AG2）的正下区域，以与电连接在所述存储节点（SN、/SN）上的所述第2源极-漏极区域（SDS）相邻的方式形成，

所述激励晶体管（DT1、DT2）具有：

第2导电型的第3晕圈区域（DHS），其具有第3杂质浓度，在所述激励栅电极（DG1、DG2）的正下区域，以与电连接在所述存储节点（SN、/SN）上的所述第3源极-漏极区域（SDS）相邻的方式形成；和

第2导电型的第4晕圈区域（DHE），其具有第4杂质浓度，在所述激励栅电极（DG1、DG2）的正下区域，以与电连接在所述接地布线（VSS）上的所述第4源极-漏极区域（SDE）相邻的方式形成，

所述第2杂质浓度比所述第1杂质浓度高，

所述第3杂质浓度比所述第4杂质浓度高，

所述第1杂质浓度和所述第4杂质浓度设定成不同的杂质浓度。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

所述第2源极-漏极区域（SDS）和所述第3源极-漏极区域（SDS）作为共同的源极-漏极区域而形成在所述第1元件形成区域（FRN）中。

3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，

所述共同的源极-漏极区域以折曲的方式形成，

所述存取栅电极（AG1、AG2）沿第1方向配置，所述激励栅电极（DG1、DG2）沿与所述第1方向交叉的第2方向配置。