[发明专利]形成氮氧化硅膜的方法和具有由此形成的氮氧化硅膜的衬底有效
| 申请号： | 201180071757.4 | 申请日： | 2011-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN103702933A | 公开（公告）日： | 2014-04-02 |
| 发明（设计）人： | N·申德;长原达郎;高野祐辅 | 申请（专利权）人： | AZ电子材料IP（日本）株式会社 |
| 主分类号： | C01B21/082 | 分类号： | C01B21/082;G03F7/11;H01L21/318 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 肖威;刘金辉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种制备氮氧化硅膜的方法，其能降低能量成本；还涉及一种具有通过使用该制备方法制备的氮氧化硅膜的衬底。所述方法包括如下步骤：通过用包含聚硅氮烷化合物的成膜组合物涂覆衬底表面以在衬底表面上形成涂层；移除所述涂膜中所含的过量溶剂；然后在从所述涂膜中移除溶剂后，将所述涂膜在低于150℃的温度条件下暴露于紫外辐射中。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 氧化 方法 具有 由此 衬底 | ||
【主权项】：
一种形成氮氧化硅膜方法，其包括：涂布步骤，其中将包含聚硅氮烷化合物的可成膜涂料组合物涂布至衬底表面上以形成涂层；干燥步骤，其中将所述涂层干燥以移除其中的过量溶剂；和紫外线照射步骤，其中在低于150℃的温度下用紫外线照射经干燥的涂层。
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