[发明专利]形成氮氧化硅膜的方法和具有由此形成的氮氧化硅膜的衬底

权利要求书

1.一种形成氮氧化硅膜方法，其包括：

涂布步骤，其中将包含聚硅氮烷化合物的可成膜涂料组合物涂布至衬底表面上以形成涂层；

干燥步骤，其中将所述涂层干燥以移除其中的过量溶剂；和

紫外线照射步骤，其中在低于150℃的温度下用紫外线照射经干燥的涂层。

2.根据权利要求1的方法，其中所述紫外线照射步骤在室温下进行。

3.根据权利要求1的方法，其中所述紫外线照射步骤在除紫外线之外不施加任何外部能量下进行。

4.根据权利要求1-3中任一项的方法，其中所述紫外线照射步骤在惰性气氛下进行。

5.根据权利要求1-4中任一项的方法，其中所述紫外线为波长小于200nm的远紫外线。

6.根据权利要求1-5中任一项的方法，其中所述紫外线的辐照能为0.5kJ/m²或更高。

7.根据权利要求1-6中任一项的方法，其中所述涂层具有0.01-1.0μm的厚度。

8.一种衬底，其具有根据权利要求1-7中任一项的方法形成的氮氧化硅膜。

9.一种形成抗蚀剂图案的方法，其中所述抗蚀剂图案通过光刻法形成，其中将根据权利要求1-7中任一项的方法用于在抗蚀剂层的衬底侧表面上形成由氮氧化硅制成的底层防反射涂层。