[发明专利]垂直结构的被动像素阵列及其制造方法有效
| 申请号： | 201180067519.6 | 申请日： | 2011-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN103444164A | 公开（公告）日： | 2013-12-11 |
| 发明（设计）人： | 俞荣濬;彼得·杜安;穆尼布·沃贝尔 | 申请（专利权）人： | 立那工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H04N3/14 | 分类号： | H04N3/14 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 李春秀 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 图像传感器和图像传感器的使用方法，图像传感器的制造方法，和包含该图像传感器的设备在此披露。该图像传感器包括像素，其包括至少一个纳米柱，该至少一纳米柱周围围绕门电极，其中该至少一个纳米柱适应将入射其上的光转换成电信号，该门电极是可操作地截断或允许电流流过该至少一纳米柱。该图像传感器具有可以按照单独寻址的方式排列的复数个像素。该至少一纳米柱有包覆层。包覆层的折射率小于纳米柱的折射率。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 结构 被动 像素 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一图像传感器包括：一基板;复数个像素，其中每个像素包括基本从基板垂直延伸的至少一纳米柱，和围绕该至少一纳米柱的一门电极；其中该至少一纳米柱适应将入射其上的光线转化成为电信号，并且该门电极可操作性地截断或者容许电流通过该至少一纳米柱；其中该至少一纳米柱包括一包覆层，该包覆层的折射率小于该纳米柱的折射率。
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