[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201180067442.2 | 申请日： | 2011-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN103370791A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 胁本博树;中泽治雄;宫坂靖 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/12;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 张鑫 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 半导体器件包括其中当该半导体器件处于导通状态时电流流过的有源区（10）、和围绕着有源区(10)的击穿电压结构部分(11)。在有源区（10）中，包括例如p-阱区（2）、n+源区（3)、栅电极（5）、和源电极（6）的MOS栅结构被设置在半导体基板的前表面上。从半导体基板的后表面到侧表面，设置与n-漂移区（1）进行接触的漏电极（7）。漏电极（7）和作为半导体基板的n-漂移区（1），形成肖特基接触。在击穿电压结构部分（11）中，至少在半导体基板的外周边缘上设置从半导体基板的外周边缘减少泄露电流的层（泄露电流减少层）20。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：半导体基板，所述半导体基板为第一导电类型，且由带隙比硅宽的半导体材料制成；控制电极，所述控制电极设置在所述半导体基板的第一主表面上；输出电极，所述输出电极设置在所述半导体基板的第二主表面和侧表面上，并且与所述半导体基板形成肖特基接触；以及层，所述层至少设置在所述半导体基板的外周边缘处，并且减少至少从所述外周边缘所产生的漏泄电流。
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