[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201180067442.2 | 申请日： | 2011-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN103370791A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 胁本博树;中泽治雄;宫坂靖 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/12;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 张鑫 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
1.一种半导体器件，包括：
半导体基板，所述半导体基板为第一导电类型，且由带隙比硅宽的半导体材料制成；
控制电极，所述控制电极设置在所述半导体基板的第一主表面上；
输出电极，所述输出电极设置在所述半导体基板的第二主表面和侧表面上，并且与所述半导体基板形成肖特基接触；以及
层，所述层至少设置在所述半导体基板的外周边缘处，并且减少至少从所述外周边缘所产生的漏泄电流。
2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，
减少所述漏泄电流的所述层是第二导电类型的第一半导体区，所述第一半导体区被设置在所述半导体基板的第一主表面的表面层中，并且与所述输出电极产生接触。
3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，
所述第一半导体区与所述输出电极形成欧姆接触。
4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，
减少所述漏泄电流的所述层是第二半导体区，所述第二半导体区为第二导电类型、被设置在所述半导体基板的所述第二主表面的表面层中、并且与所述输出电极产生接触。
5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，
减少所述漏泄电流的所述层是覆盖所述半导体基板的所述第一主表面的绝缘膜。
6.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，
减少所述漏泄电流的所述层是电连接到所述输出电极的辅助电极。
7.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，
减少所述漏泄电流的所述层包括：
绝缘膜，所述绝缘膜覆盖所述半导体基板的所述第一主表面；以及
辅助电极，所述辅助电极与所述输出电极产生接触，且其经设置从而从所述输出电极延伸到所述绝缘膜的表面，以及
所述辅助电极和所述第一半导体区产生接触，所述第一半导体区从所述半导体基板的所述第一主表面暴露出来。
8.如权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，
减少所述漏泄电流的所述层还包括第二半导体区，所述第二半导体区为第二导电类型、被设置在所述半导体基板的所述第二主表面的表面层中、并且与所述输出电极产生接触。
9.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，
所述输出电极从所述第二主表面延伸到所述半导体基板的所述第一主表面，并且横跨所述第一主表面的所述外周边缘来放置。
10.如权利要求1至9中任一项所述的半导体器件，其特征在于，
所述半导体基板是由碳化硅或氮化镓制成的。
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