[发明专利]制造半导体器件的方法无效
| 申请号： | 201180067218.3 | 申请日： | 2011-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN103548118A | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | 增田健良 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/336;H01L29/12;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李兰;孙志湧 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种制造MOSFET的方法，包括步骤：制备具有由碳化硅制成的外延生长层的衬底（8）；在具有外延生长层的衬底（8）上执行离子注入；在具有外延生长层并且在其上执行了离子注入的衬底（8）上，形成包括二氧化硅的保护膜（80）；并且在包含包括氧原子的气体的气氛中，将具有外延生长层并且其上形成了保护膜（80）的衬底（8）加热到至少1600℃的温度范围内。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体器件（100）的方法，包括以下步骤：制备由碳化硅制成的衬底（8）；向所述衬底（8）中执行离子注入；在执行了所述离子注入的所述衬底（8）上形成由二氧化硅制成的保护膜（80）；并且在包含包括氧原子的气体的气氛中，将其上形成了所述保护膜（80）的所述衬底（8）加热到1600℃或更高的温度范围。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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