[发明专利]制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件（100）的方法，包括以下步骤：

制备由碳化硅制成的衬底（8）；

向所述衬底（8）中执行离子注入；

在执行了所述离子注入的所述衬底（8）上形成由二氧化硅制成的保护膜（80）；并且

在包含包括氧原子的气体的气氛中，将其上形成了所述保护膜（80）的所述衬底（8）加热到1600℃或更高的温度范围。

2.根据权利要求1所述的制造半导体器件（100）的方法，其中

在加热所述衬底（8）的所述步骤中，将其上形成了所述保护膜（80）的所述衬底（8）加热到1700℃或更低的温度范围。

3.根据权利要求1所述的制造半导体器件（100）的方法，其中

在加热所述衬底（8）的所述步骤中，在包含氧气的气氛中加热其上形成了所述保护膜（80）的所述衬底（8）。

4.根据权利要求1所述的制造半导体器件（100）的方法，其中

在形成保护膜（80）的所述步骤中，通过热氧化形成所述保护膜（80）。

5.根据权利要求4所述的制造半导体器件（100）的方法，其中

形成保护膜（80）的所述步骤和加热所述衬底（8）的所述步骤是作为单个步骤执行的。