[发明专利]成像装置、其形成方法以及形成半导体装置结构的方法有效
| 申请号： | 201180066649.8 | 申请日： | 2011-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN103339711A | 公开（公告）日： | 2013-10-02 |
| 发明（设计）人： | 何元;卡韦里·贾殷;勾力晶;张姿淑;安东·J·德维利耶;迈克尔·海厄特;周建明;斯科特·莱特;丹·B·米尔沃德 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 沈锦华 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明揭示一种成像装置，其包括至少一个阵列图案区和至少一个衰减区。所述至少一个阵列图案区中的多个成像特征与所述至少一个衰减区中的多个辅助特征具有彼此大体上相同的大小且大体上按某一间距形成。还揭示了形成成像装置的方法以及形成半导体装置结构的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 成像 装置 形成 方法 以及 半导体 结构 | ||
【主权项】：
一种成像装置，其包括：包括多个成像特征的至少一个阵列图案区以及包括多个辅助特征的至少一个衰减区，其中所述多个成像特征和所述多个辅助特征具有彼此大体上相同的大小且大体上按某一间距形成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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