[发明专利]成像装置、其形成方法以及形成半导体装置结构的方法

权利要求书

1.一种成像装置，其包括：

包括多个成像特征的至少一个阵列图案区以及包括多个辅助特征的至少一个衰减区，

其中所述多个成像特征和所述多个辅助特征具有彼此大体上相同的大小且大体上按某一间距形成。

2.根据权利要求1所述的成像装置，其中所述至少一个阵列图案区包括光学透明材料和光学不透明或部分透射性材料的图案。

3.根据权利要求1所述的成像装置，其中所述至少一个阵列图案区的总面积大于所述至少一个衰减区的总面积。

4.根据权利要求1所述的成像装置，其中所述至少一个衰减区的总面积大于所述至少一个阵列图案区的总面积。

5.一种形成成像装置的方法，其包括：

在衬底上形成多个成像特征和多个辅助特征，其中所述多个成像特征和所述多个辅助特征形成为具有彼此大体上相同的大小且具有大体上均匀的间距。

6.根据权利要求5所述的方法，其中在衬底上形成多个成像特征和多个辅助特征包括：由光学不透明材料或部分透射性材料形成所述多个成像特征。

7.根据权利要求1或权利要求5所述的成像装置或方法，其中所述多个辅助特征由光学不透明材料或辐射衰减材料形成。

8.一种形成半导体装置结构的方法，其包括：

经由成像装置使光致抗蚀剂材料曝露于辐射，所述成像装置包括：

至少一个阵列图案区和至少一个衰减区，其中所述至少一个阵列图案区中的特征具有与所述至少一个衰减区中的特征大体上相同的大小且大体上按与所述至少一个衰减区中的特征相同的间距来形成；

移除所述光致抗蚀剂材料的部分以在所述光致抗蚀剂材料中形成图案；以及将所述光致抗蚀剂材料中的所述图案转移到所述结构。

9.根据权利要求8所述的方法，其中移除所述光致抗蚀剂材料的部分以在所述光致抗蚀剂材料中形成图案包括：移除所述光致抗蚀剂材料的曝露于高于阈值水平的辐射下的部分。

10.根据权利要求8所述的方法，其中移除所述光致抗蚀剂材料的部分以在所述光致抗蚀剂材料中形成图案包括：移除所述光致抗蚀剂材料的未曝露于辐射下的部分。

11.根据权利要求8所述的方法，其中经由成像装置使光致抗蚀剂材料曝露于辐射包括：经由所述至少一个阵列图案区且经由所述至少一个衰减区使所述光致抗蚀剂材料曝露于不同量的辐射。

12.根据权利要求8所述的方法，其中经由成像装置使光致抗蚀剂材料曝露于辐射包括：经由所述至少一个阵列图案区使所述光致抗蚀剂材料曝露于较高百分比的所述辐射，且经由所述至少一个衰减区使所述光致抗蚀剂材料曝露于较低百分比的所述辐射。

13.根据权利要求8所述的方法，其中将所述光致抗蚀剂材料中的所述图案转移到所述结构包括：形成阵列特征而不形成对应于所述至少一个衰减区的所述特征的额外特征。

14.根据权利要求1或5所述的成像装置或方法，其中所述成像装置进一步包括至少一个像素化结构。

15.根据权利要求14所述的成像装置或方法，其中所述至少一个像素化结构中的像素化结构接触所述多个成像特征中的成像特征。

16.根据权利要求14所述的成像装置或方法，其中所述至少一个像素化结构中的像素化结构被定位成邻近所述多个成像特征中的成像特征。

17.根据权利要求14所述的成像装置或方法，其中所述至少一个像素化结构中的每一像素化结构定位于所述多个辅助特征的相邻辅助特征之间。

18.根据权利要求14所述的成像装置或方法，其中所述至少一个像素化结构中的每一像素化结构接触所述多个辅助特征中的相应辅助特征。

19.根据权利要求8所述的方法，其中将所述光致抗蚀剂材料中的所述图案转移到所述结构包括形成线和空间的图案。

20.根据权利要求8所述的方法，其中将所述光致抗蚀剂材料中的所述图案转移到所述结构包括形成触点。