[发明专利]根据鳍片FET工艺制造电阻器的结构和方法有效
| 申请号： | 201180064247.4 | 申请日： | 2011-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN103283016A | 公开（公告）日： | 2013-09-04 |
| 发明（设计）人： | W·E-A·汉施;P·库尔卡尼;山下典洪 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 于静;张亚非 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 形成包括第一和至少第二鳍片结构的结构。所述第一和至少第二鳍片结构中的每一者具有垂直定向的半导体主体。所述垂直定向的半导体主体由垂直表面构成。位于所述第一和至少第二鳍片结构中的每一者中的掺杂区由位于所述半导体主体中用以形成第一电阻器和至少第二电阻器的浓度的掺杂剂离子构成，以及一对合并鳍片形成在所述第一和至少第二鳍片结构的所述掺杂区的外部部分上。所述一对合并鳍片被电连接，以便所述第一和至少第二电阻器相互并联电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 根据 fet 工艺 制造 电阻器 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种结构，包括：第一和至少第二鳍片结构，所述第一和至少第二鳍片结构中的每一者具有垂直定向的半导体主体，所述垂直定向的半导体主体包括垂直表面；位于所述第一和至少第二鳍片结构中的每一者中的掺杂区，其包括位于所述半导体主体中用以形成第一电阻器和至少第二电阻器的浓度的掺杂剂离子；以及在所述第一和至少第二鳍片结构的所述掺杂区的外部部分上形成一对合并鳍片，所述一对合并鳍片被电连接，以便所述第一和至少第二电阻器相互并联电连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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