[发明专利]半导体发光元件及发光装置无效
| 申请号： | 201180064244.0 | 申请日： | 2011-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN103314488A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 萩野裕幸;左文字克哉 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/22 | 分类号： | H01S5/22;H01S5/042 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 樊建中 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体发光元件(100)，具备在基板(101)上形成的氮化物半导体层(103)、绝缘膜(105)、第1电极(171)以及第2电极(172)。氮化物半导体层(103)包括具有条状的脊部(103A)的第2包覆层(135)。绝缘膜(105)遍及脊部(103A)的侧面之上以及第2包覆层(135)中的与脊部(103A)相接的部分之上而形成，并且形成为使第2包覆层中的除了脊部之外的区域的一部分露出。第1电极(171)被形成为与脊部(103A)的上表面相接。第2电极(173)被形成为与第1电极(171)的上表面、绝缘膜(105)的上表面以及第2包覆层(135)的从绝缘膜(105)露出的部分相接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体发光元件，具备：氮化物半导体层，其包含：在基板上依次形成的第1包覆层、发光层以及条状的脊部；绝缘膜，其形成于所述第2包覆层上使得所述第2包覆层中的除了所述脊部之外的区域的一部分露出；第1电极，其形成于所述脊部上；第2电极，其形成为与所述第1电极以及绝缘膜乃至所述第2包覆层的从所述绝缘膜露出的部分相接，所述绝缘膜遍及所述脊部的侧面之上以及与所述脊部相邻的区域之上而形成。
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