[发明专利]半导体发光元件及发光装置

权利要求书

1.一种半导体发光元件，具备：

氮化物半导体层，其包含：在基板上依次形成的第1包覆层、发光层以及条状的脊部；

绝缘膜，其形成于所述第2包覆层上使得所述第2包覆层中的除了所述脊部之外的区域的一部分露出；

第1电极，其形成于所述脊部上；

第2电极，其形成为与所述第1电极以及绝缘膜乃至所述第2包覆层的从所述绝缘膜露出的部分相接，

所述绝缘膜遍及所述脊部的侧面之上以及与所述脊部相邻的区域之上而形成。

2.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其中，

所述绝缘膜中的在与所述脊部相邻的区域上形成的部分的宽度，为1μm以上并且10μm以下。

3.根据权利要求2所述的半导体发光元件，其中，

所述绝缘膜中的在与所述脊部相邻的区域上形成的部分的宽度，为1μm以上并且2μm以下。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体发光元件，其中，

所述第2包覆层在与所述第2电极相接的界面附近的氮密度，比所述第2包覆层内部的氮密度小。

5.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体发光元件，其中，

所述第2电极由比所述第1电极功函数小的材料构成。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体发光元件，其中，

所述第2包覆层具有在未被所述绝缘膜覆盖的部分形成的凹凸构造。

7.根据权利要求6所述的半导体发光元件，其中，

所述凹凸构造是与所述脊部并行地延伸的条状。

8.根据权利要求6所述的半导体发光元件，其中，

所述凹凸构造是栅格状。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的半导体发光元件，其中，

所述第2包覆层具有多个所述脊部。

10.根据权利要求1～9中任一项所述的半导体发光元件，其中，

所述第2包覆层由组成或材质不同的多个层形成。

11.一种半导体发光元件，具备：

氮化物半导体层，其包括在基板上依次形成的第1包覆层、发光层以及第2包覆层；

条状的脊部，其形成于所述第2包覆层上，由对发光波长透明的材料的第1电极构成；

绝缘膜，其形成于所述第2包覆层上使得所述第2包覆层的一部分露出；和

第2电极，其形成为与所述脊部、绝缘膜以及第2包覆层的从所述绝缘膜露出的部分相接，

所述绝缘膜遍及所述脊部的侧面之上以及与所述脊部相邻的区域之上而形成。

12.一种半导体发光装置，具备：

散热片；和

搭载于所述散热片的、权利要求1～11中任一项所述的半导体发光元件，

将所述基板设置在所述散热片侧来搭载所述半导体发光元件。

13.一种半导体发光装置，具备：

散热片；和

搭载于所述散热片的、权利要求1～11中任一项所述的半导体发光元件，

将所述第2包覆层设置在所述散热片侧来搭载所述半导体发光元件。