[发明专利]微晶PIN结的SiOxN型层

摘要

本发明涉及一种光转换装置，该光转换装置包括至少一个光伏光转换层堆叠体(43、51)，该光伏光转换层堆叠体(43、51)包括p-i-n结并且被夹在前电极(42)和后电极(47)之间，其中定位成最接近后电极(47)的n型层(49)的堆叠(43)包括n型掺杂硅微晶层和含氧(SiOx)微晶层，并且与后电极(47)直接接触。本发明同样涉及用于制造这样的光转换装置的相应的方法。从而可以消除对于在SiOx层与后电极之间的中间粘附/界面层的需求，从而简化制造。

主权项

一种光转换装置，包括前电极(42)和后电极(47)、以及位于所述前电极(42)和所述后电极(47)之间的至少一个光伏光转换层堆叠体(43)，所述层堆叠体(43)包括p型掺杂硅层(44)、基本上本征的硅层(45)和n型掺杂层(49)，所述层(44、45、49)一起形成p‑i‑n结，其特征在于最接近所述后电极(47)的所述n型掺杂层(49)被定位成与所述后电极(47)直接且紧密接触，并且基本上由含硅和氧的经掺杂的微晶材料组成。