[发明专利]纳米晶体的合成、盖帽和分散有效
| 申请号： | 201180062940.8 | 申请日： | 2011-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN103328374B | 公开（公告）日： | 2017-04-26 |
| 发明（设计）人： | 泽赫拉·塞尔皮尔·戈嫩威廉斯;Y·J·王;罗伯特·J·威塞克;X·白;L·F·郭;塞琳娜·I·托马斯;W·徐;J·徐 | 申请（专利权）人： | 皮瑟莱根特科技有限责任公司 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00;B82B1/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司11372 | 代理人： | 吴大建,刘华联 |
| 地址： | 美国巴*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明描述了半导体纳米晶体和它们在溶剂和其他介质中的分散体的制备。在此所描述的纳米晶体具有小的（1‑10nm）颗粒尺寸和最少的聚集，可高产量地合成。在所合成的纳米晶体以及经受了帽子交换反应的纳米晶体上的盖帽剂可导致在极性和非极性溶剂中的稳定的悬浮液的形成，之后所述悬浮液可导致高质量的纳米复合物膜的形成。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 晶体 合成 盖帽 分散 | ||
【主权项】：
一种制备纳米晶体的溶剂热方法，包括：将所述纳米晶体的前体溶解或混合于至少一种溶剂中，以产生溶液；通过将所述溶液加热至250℃至350℃范围的温度和100‑900psi范围的压力，使所述溶液的所述前体和至少一种溶剂反应，以形成所述纳米晶体；其中，所述纳米晶体包括氧化铪、氧化锆、铪锆氧化物和钛锆氧化物中的至少一种。
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