[发明专利]纳米晶体的合成、盖帽和分散

权利要求书

1.一种制备纳米晶体的溶剂热方法，包括：

将所述纳米晶体的前体溶解或混合于至少一种溶剂中，以产生溶液；

通过将所述溶液加热至250℃至350℃范围的温度和100-900psi范围的压力，使所述溶液的所述前体和至少一种溶剂反应，以形成所述纳米晶体；

其中，所述纳米晶体包括氧化铪、氧化锆、铪锆氧化物和钛锆氧化物中的至少一种。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述压力为100-500psi的范围。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述温度为300-350℃的范围。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述加热包括加热1-2小时。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，用至少一种试剂对所述纳米晶体进行盖帽，以增加所述纳米晶体的溶解性或分散性。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述至少一种试剂包括至少一种有机硅烷、有机羧酸或有机醇。

7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，用于盖帽所述纳米晶体的所述至少一种试剂包含于溶液中。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，将用于盖帽所述纳米晶体的所述至少一种试剂在所述反应之前、期间或之后与所述溶液接触。

9.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述方法进一步包括纯化和/或分离所述纳米晶体。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述方法进一步包括用至少一种盖帽剂对所述纯化和/或分离的纳米晶体进行盖帽，以产生至少部分被盖帽的纳米晶体。

11.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述方法进一步包括纯化和/或分离所述至少部分被盖帽的纳米晶体。

12.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述方法进一步包括将经纯化和/或分离的所述纳米晶体与溶剂接触。

13.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述方法进一步包括将所述至少部分被盖帽的纳米晶体与溶剂接触。

14.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，将所述纳米晶体分散在另外的材料中。

15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，所述另外的材料为聚合物。

16.通过如权利要求3所述的方法形成的纳米晶体。

17.一种形成膜或涂层的方法，包括将权利要求16的纳米晶体分散在另外的材料中，以形成分散体，并将所述分散体应用于表面。

18.根据权利要求17所述的方法，其特征在于，所述应用包括旋涂、喷射、浸渍、丝网印刷、滚压、涂抹、印刷、喷墨印刷、通过蒸发和/或汽相淀积的沉积。

19.一种形成纳米复合物的方法，包括将权利要求16的纳米晶体与另外的材料结合，并形成纳米复合物。

20.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述至少一种溶剂包括苄醇、苯酚、油醇、甲苯、丁醇、丙醇、异丙醇、乙醇、甲醇、水、丙二醇单甲醚(PGME)、丙二醇甲醚乙酸酯(PGMEA)、乳酸乙酯(EL)，以及2-丙氧基-丙醇(PnP)、乙腈、丙酮、四氢呋喃、环酮和它们的混合物。

21.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述至少一种试剂包括正丙基三甲氧基硅烷、正丙基三乙氧基硅烷、正辛基三甲氧基硅烷、正辛基三乙氧基硅烷、苯基三甲氧基硅烷、2-[甲氧基(聚乙烯氧基)丙基]-三甲氧基硅烷、甲氧基三(乙烯氧基)丙基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基三甲氧基硅烷、3-巯基丙基三甲氧基硅烷、3-(甲基丙烯酰氧)丙基三甲氧基硅烷、3-异氰酸丙基三乙氧基硅烷、3-异氰酸丙基三甲氧基硅烷，和缩水甘油醚氧基丙基三甲氧基硅烷、庚醇、己醇、辛醇、苄醇、苯酚、乙醇、丙醇、丁醇、油醇、十二烷醇、十八烷醇和三乙烯乙二醇单甲醚、辛酸、醋酸、丙酸、2-[2-(2-甲氧基乙氧基)乙氧基]醋酸、油酸、苯甲酸或它们的混合物。