[发明专利]SiC单晶体的制造装置、在制造装置中使用的夹具以及SiC单晶体的制造方法有效
| 申请号： | 201180062911.1 | 申请日： | 2011-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN103282558A | 公开（公告）日： | 2013-09-04 |
| 发明（设计）人： | 龟井一人;楠一彦;矢代将齐;冈田信宏;加渡干尚;坂元秀光;大黑宽典 | 申请（专利权）人： | 新日铁住金株式会社;丰田自动车株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B19/06 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够抑制多晶体的生成的SiC单晶体的制造装置。在腔室（1）内容纳有夹具（41）和坩埚（6）。在坩埚（6）内容纳有SiC溶液（8）。夹具（41）包括晶种轴（411）和盖构件（412）。晶种轴（411）能够升降，在晶种轴（411）的下表面安装SiC晶种（9）。盖构件（412）配置在晶种轴（411）的下端部。盖构件（412）是下端敞开的壳体，且在内部配置晶种轴（411）的下端部。在制造SiC单晶体时，SiC晶种（9）浸渍在SiC溶液（8）中。进而，盖构件（412）的下端浸渍在SiC溶液（8）中。因此，盖构件（412）覆盖SiC溶液（8）中的、SiC单晶体周边的部分并进行保温。 | ||
| 搜索关键词： | sic 单晶体 制造 装置 使用 夹具 以及 方法 | ||
【主权项】：
一种SiC单晶体的制造装置，其中，该制造装置包括：腔室，其能够保存用于收纳SiC溶液的熔炉；晶种轴，其沿上述制造装置的上下方向延伸，并能够在下端面安装SiC晶种；以及盖构件，其是下端敞开并能够收纳在上述坩埚内的壳体，且在内部配置上述晶种轴的下端部。
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