[发明专利]SiC单晶体的制造装置、在制造装置中使用的夹具以及SiC单晶体的制造方法

权利要求书

1.一种SiC单晶体的制造装置，其中，

该制造装置包括：

腔室，其能够保存用于收纳SiC溶液的熔炉；

晶种轴，其沿上述制造装置的上下方向延伸，并能够在下端面安装SiC晶种；以及

盖构件，其是下端敞开并能够收纳在上述坩埚内的壳体，且在内部配置上述晶种轴的下端部。

2.根据权利要求1所述的制造装置，其中，

上述盖构件包括：

裙部，其包围上述晶种轴的下端部的周围并在该裙部与上述晶种轴的下端部之间设有间隙；以及

上盖部，其供上述晶种轴贯穿，并与上述裙部的上端相连。

3.根据权利要求1或2所述的制造装置，其中，

上述盖构件具有通气孔。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的制造装置，其中，

上述盖构件被固定于上述晶种轴。

5.根据权利要求1～3中任一项所述的制造装置，其中，

该制造装置还具有固定构件，该固定构件在预定的位置将上述盖构件固定在上述腔室内，

上述晶种轴能够相对于上述盖构件绕上述轴旋转。

6.根据权利要求5所述的制造装置，其中，

上述固定构件能够沿上述制造装置的上下方向上升、下降。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的制造装置，其中，

上述盖构件的下端浸渍在上述坩埚内的上述SiC溶液中。

8.一种夹具，其在基于溶液生长法的SiC单晶体的制造装置中使用，

该夹具包括：

棒状的晶种轴，其具有供SiC晶种安装的下端面；以及

盖构件，其是下端敞开的壳体，且在内部配置上述晶种轴的下端部。

9.根据权利要求8所述的夹具，其中，

上述盖构件包括：

裙部，其包围上述晶种轴的下端部的周围并在该裙部与上述晶种轴的下端部之间设有间隙；以及

上盖部，其供上述晶种轴贯穿，并与上述裙部的上端相连。

10.根据权利要求8或9所述的夹具，其中，

上述盖构件具有通气孔。

11.根据权利要求8～10中任一项所述的夹具，其中，

上述盖构件固定于上述晶种轴。

12.根据权利要求8～10中任一项所述的夹具，其中，

上述晶种轴能够相对于上述盖构件绕自身的轴旋转。

13.一种SiC单晶体的制造方法，其利用溶液生长法来制造SiC单晶体，其中，

该制造方法包括：

准备夹具的工序，该夹具包括：晶种轴，其沿上下方向延伸，并具有下端面；以及盖构件，其是下端敞开的壳体，且在内部配置上述晶种轴的下端部；

在上述晶种轴的下端面安装SiC晶种的工序；

对收纳有含硅的原料的坩埚进行加热，从而生成SiC溶液的工序；

将安装于上述夹具的SiC晶种浸渍在上述坩埚内的SiC溶液中的工序；以及

在上述SiC晶种上培育SiC单晶体的工序。

14.根据权利要求13所述的SiC单晶体的制造方法，其中，

在培育上述SiC单晶体的工序中，进一步将上述盖构件的下端浸渍在上述坩埚内的SiC溶液中。