[发明专利]具有背面介电覆层的太阳能电池及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201180060886.3 申请日: 2011-10-14
公开(公告)号: CN103270603B 公开(公告)日: 2016-11-30
发明(设计)人: 安德里亚斯·特佩;阿道夫·闵塞尔;简·薛昂;马赛厄斯·海恩;彼得·温特尔 申请(专利权)人: RCT溶液有限责任公司
主分类号: H01L31/0224 分类号: H01L31/0224;H01L31/18
代理公司: 北京金恒联合知识产权代理事务所 11324 代理人: 李强
地址: 德国康斯坦茨*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 太阳能电池(11;21;31),其具有设置在太阳能电池(11;21;31)的背面的介电覆层;所述介电覆层至少部分地被至少一个平面触头(12;22;32)所覆盖,而该所述至少一个平面触头(12;22;32)的一条边界线(14;24;34)具有至少一个凹处(16a,16b;26a,26b,26c)。还提供了用于制造该太阳能电池的方法。
搜索关键词: 具有 背面 覆层 太阳能电池 及其 制造 方法
【主权项】:
太阳能电池制造方法,其中:‑一个太阳能电池基底被设置在具有至少一个保持圈的一个保持装置上(70),所述太阳能电池基底与所述至少一个保持圈邻接,‑所述保持装置被插入一个涂覆设备中且一种介电覆层被淀积在所述太阳能电池基底的背面(72),‑一种平面触头被施加(78)到所述介电覆层的至少一部分上,‑当所述平面触头被施加(78)到所述介电覆层的至少某些部分上时,在所述介电覆层的淀积期间被所述保持圈掩盖的那些区域不受影响,‑所述平面触头以这样的方式配置(78),即其边界线具有至少一个凹处,且‑所述平面触头以这样的方式被配置和设置(78),即所述至少一个凹处使所述在介电覆层的淀积期间被保持圈掩盖的那些区域的至少一部分不被所述平面触头覆盖。
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