[发明专利]具有背面介电覆层的太阳能电池及其制造方法

权利要求书

1.太阳能电池制造方法，其中

-一个太阳能电池基底被设置在具有至少一个保持圈的一个保持装置上（70），所述太阳能电池基底与所述至少一个保持圈邻接，

-所述保持装置被插入一个涂覆设备中且一种介电覆层被淀积在所述太阳能电池基底的背面（72），

-一种平面触头被施加（78）到所述介电覆层的至少一部分上，

-当所述平面触头被施加（78）到所述介电覆层的至少某些部分上时，在所述介电覆层的淀积期间被所述保持圈掩盖的那些区域不受影响，

-所述平面触头以这样的方式配置（78），即其边界线具有至少一个凹处，且

-所述平面触头以这样的方式被配置和设置（78），即所述至少一个凹处使所述在介电覆层的淀积期间被保持圈掩盖的那些区域的至少一部分不被所述平面触头覆盖。

2.根据权利要求1的方法，其特征在于

一个纵向船被用作所述保持装置（70）。

3.根据前述权利要求之一的方法，其特征在于

为在介电覆层的淀积期间被保持圈掩盖的每一个区域设置一个凹处，且这些凹处中的每一个都以这样的方式得到配置和设置，即该凹处使在介电覆层淀积期间被相应的保持圈所掩盖的区域至少部分地不被所述平面触头覆盖。

4.根据前述权利要求之一的方法，其特征在于

所述平面触头是印刷上去的。

5.根据前述权利要求之一的方法，其特征在于

所述介电覆层是借助从气相的等离子体加强淀积而被淀积到所述太阳能电池基底的背面上的（72），其中采用了直接等离子体。

6.根据前述权利要求之一的方法，其特征在于

在介电覆层的所述淀积之后，进行发射极扩散以在所述太阳能电池基底的正面上形成发射极（76）且所述介电覆层在所述发射极扩散期间被用作阻止掺杂物扩散到所述太阳能电池基底的背面中的扩散阻挡层（76）。

7.根据前述权利要求之一的方法，其特征在于

在所述介电覆层的淀积之后，所述太阳能电池基底在一种纹理蚀刻介质中被蚀刻（74），以在所述太阳能电池基底的正面上形成纹理，且在所述蚀刻期间所述介电覆层被用作阻止对所述太阳能电池基底的背面的蚀刻的蚀刻阻挡层。

8.太阳能电池（11；21；31），它具有设置在该太阳能电池（11；21；31）的背面的介电覆层（4），所述介电覆层（4）至少部分地被至少一个平面触头（12；22；32）所覆盖，而该所述至少一个平面触头（12；22；32）的一条边界线（14；24；34）具有至少一个凹处（16a，16b；26a，26b，26c）。

9.根据权利要求8的太阳能电池（11；21；31），其特征在于

在由于所述至少一个凹处（16a，16b；26a，26b，26c）而没有所述平面触头（12；22；32）的背面区域中，至少在某些部分中的所述介电覆层（4）具有小于其最大厚度的50％的厚度。

10.根据权利要求8的太阳能电池（11；21；31），其特征在于

由于所述至少一个凹处（16a，16b；26a，26b，26c）而没有所述平面触头（12；22；32）的背面区域中的至少在某些部分中没有所述介电覆层（4）。

11.根据权利要求8至10之一的太阳能电池（11；21），其特征在于

所述边界线（14；24）具有两个凹处（16a，16b；26a，26b，26c）。

12.根据权利要求8至11之一的太阳能电池（31），其特征在于

所述边界线（31）具有若干个凹处（26a，26b，26c，26d，26e，26f），且这些凹处（26a，26b，26c，26d，26e，26f）相对于一条直线（36）镜象对称地设置，其中所述直线（36）在与所述平面触头（32）所在的平面中延伸。

13.根据权利要求8至12之一的太阳能电池（11；21；31），其特征在于

所述平面触头（12；22；32）是利用屏网印刷施加的。