[发明专利]用于制造光电子半导体芯片的方法以及这样的半导体芯片有效
| 申请号： | 201180056609.5 | 申请日： | 2011-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN103222072A | 公开（公告）日： | 2013-07-24 |
| 发明（设计）人： | P.施托斯;A.贝雷斯 | 申请（专利权）人： | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01S5/343;H01S5/02;H01S5/323 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 杜荔南;刘春元 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 说明了一种用于制造具有基于材料系统AlInGaP的半导体层堆叠（1）的光电子半导体芯片（10）的方法，其中提供生长衬底（2），所述生长衬底具有硅表面。将压缩松弛的缓冲层堆叠（3）施加在所述生长衬底（2）上。将半导体层堆叠（1）变质地外延生长在缓冲层堆叠（3）上。半导体层堆叠（1）具有被设置为生成辐射的活性层。还说明了一种借助于这样的方法制造的半导体芯片（10）。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 光电子 半导体 芯片 方法 以及 这样 | ||
【主权项】：
一种用于制造具有基于材料系统AlInGaP的半导体层堆叠（1）的光电子半导体芯片（10）的方法，具有下列步骤：－提供生长衬底（2），所述生长衬底具有硅表面，－将压缩松弛的缓冲层堆叠（3）布置在所述生长衬底（2）上，－将半导体层堆叠（1）变质地外延生长在缓冲层堆叠（3）上，其中半导体层堆叠（1）具有被设置为生成辐射的活性层。
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