[发明专利]用于制造光电子半导体芯片的方法以及这样的半导体芯片有效
| 申请号： | 201180056609.5 | 申请日： | 2011-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN103222072A | 公开（公告）日： | 2013-07-24 |
| 发明（设计）人： | P.施托斯;A.贝雷斯 | 申请（专利权）人： | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01S5/343;H01S5/02;H01S5/323 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 杜荔南;刘春元 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 制造 光电子 半导体 芯片 方法 以及 这样 | ||
1.一种用于制造具有基于材料系统AlInGaP的半导体层堆叠（1）的光电子半导体芯片（10）的方法，具有下列步骤：
－提供生长衬底（2），所述生长衬底具有硅表面，
－将压缩松弛的缓冲层堆叠（3）布置在所述生长衬底（2）上，
－将半导体层堆叠（1）变质地外延生长在缓冲层堆叠（3）上，其中半导体层堆叠（1）具有被设置为生成辐射的活性层。
2.根据权利要求1所述的方法，其中在布置缓冲层堆叠（3）以前将伪晶的中间层（4）施加到生长衬底（2）上并且接着将缓冲层堆叠（3）施加到中间层（4）上。
3.根据权利要求2所述的方法，其中在施加中间层（4）以前，将晶核形成层（5）施加到生长衬底（2）上并接着将中间层（4）施加到晶核形成层（5）上。
4.根据前述权利要求之一所述的方法，其中缓冲层堆叠(3)的晶格常数被构造为在半导体层堆叠(1)的方向上逐渐增加。
5.根据权利要求4所述的方法，其中通过添加铟和/或砷来提高缓冲层堆叠（3）的晶格常数。
6.根据权利要求4或5所述的方法，其中缓冲层堆叠（3）由多个缓冲层构成，这些缓冲层的晶格常数被构造为在半导体层堆叠（1）的方向上逐层地升高。
7.根据前述权利要求之一所述的方法，具有另外的下列步骤：
－将载体衬底（6）施加在半导体层堆叠（1）的与生长衬底（2）相对的侧上，以及
－分离生长衬底（2）。
8.根据权利要求7所述的方法，其中在载体衬底（6）与半导体层堆叠（1）之间布置镜层（7）。
9.根据引用权利要求2或3的前述权利要求7或8之一所述的方法，其中生长衬底（2）、晶核形成层（5）和/或中间层（4）被分离为使得半导体芯片（10）的背向载体衬底（6）的侧被构造为辐射耦合输出结构（8）。
10.根据前述权利要求之一所述的方法，其中通过共同的方法在共同的生长衬底（2）上制造多个半导体芯片（10）。
11.一种根据前述权利要求之一制造的半导体芯片，具有载体衬底（6）和基于材料系统AlInGaP的半导体层堆叠（1）。
12.根据权利要求11所述的半导体芯片，其中在载体衬底（6）与半导体层堆叠（1）之间布置镜层（7）。
13.根据权利要求11或12所述的半导体芯片，其中在半导体层堆叠（1）的背向载体衬底（6）的侧上布置具有AlInGaAsP的缓冲层堆叠（3），所述缓冲层堆叠（3）的晶格常数在朝向半导体层堆叠（1）的侧处与半导体层堆叠（1）的晶格常数相匹配。
14.根据引用权利要求2的权利要求13所述的半导体芯片，其中在缓冲层堆叠（3）的背向半导体层堆叠（1）的侧上布置中间层（4），所述中间层（4）具有AlInGaAsP。
15.根据权利要求14所述的半导体芯片，其中中间层（4）和/或缓冲层堆叠（3）具有结构化部（8）。
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