[发明专利]SOI基板的蚀刻方法以及SOI基板上的背面照射型光电转换模块及其制作方法

摘要

本发明课题在于提供SOI基板的蚀刻方法，该方法是能够高速且平整地湿式蚀刻Si基板的蚀刻方法。氢氟酸-硝酸一般写作HF（a）HNO3（b）H2O（c）（其中，a、b和c的单位为wt%，a+b+c=100）。本发明人等发现，通过适当地选择组成，使用高浓度氢氟酸-硝酸的SiO2层的蚀刻速率明显比Si基板的蚀刻速率低，对Si基板进行蚀刻直至SiO2层露出。通过如此操作，可以高速地蚀刻Si基板，并且相比以往可显著地提高蚀刻后的表面的平整性。即使高浓度氢氟酸-硝酸的组成稍微蚀刻了SiO2层，由于Si基板的蚀刻快速完成，所以实质上SiO2层的蚀刻也基本不进行，具有平整表面的SiO2层露出。

主权项

一种蚀刻方法，其特征在于，其是SOI基板的蚀刻方法，该方法包括如下步骤：将Si基板与表面Si层之间插入有SiO2层的SOI基板的所述Si基板的自由面暴露在氢氟酸‑硝酸HF（a）HNO3（b）H2O（c）中，直至至少部分所述SiO2层露出，其中，a、b和c是表示浓度的数值，其单位为wt%，a+b+c=100，所述氢氟酸‑硝酸的组成满足a+b≥50。