[发明专利]SOI基板的蚀刻方法以及SOI基板上的背面照射型光电转换模块及其制作方法

权利要求书

1.一种蚀刻方法，其特征在于，其是SOI基板的蚀刻方法，该方法包括如下步骤：

将Si基板与表面Si层之间插入有SiO₂层的SOI基板的所述Si基板的自由面暴露在氢氟酸-硝酸HF（a）HNO₃（b）H₂O（c）中，直至至少部分所述SiO₂层露出，其中，a、b和c是表示浓度的数值，其单位为wt%，a+b+c=100，

所述氢氟酸-硝酸的组成满足a+b≥50。

2.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其特征在于，所述SiO₂层是化学计量组成比的SiO₂层。

3.根据权利要求1或2所述的蚀刻方法，其特征在于，所述氢氟酸-硝酸的组成满足19≤a≤42。

4.根据权利要求3所述的蚀刻方法，其特征在于，所述氢氟酸-硝酸的组成进一步满足23≤a≤40。

5.根据权利要求4所述的蚀刻方法，其特征在于，所述氢氟酸-硝酸的组成进一步满足27≤a≤37。

6.一种背面照射型光电转换模块，其特征在于，其具备：

Si基板与表面Si层之间插入有SiO₂层的SOI基板、和

设置在所述表面Si层的具有多个光电转换元件的光电转换部，

所述Si基板具有露出所述SiO₂层的开口部，

所述开口部是光入射至所述光电转换部的入射面。

7.根据权利要求6所述的背面照射型光电转换模块，其特征在于，所述SiO₂层是化学计量组成比的SiO₂层。

8.一种背面照射型光电转换模块的制作方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

在Si基板与表面Si层之间插入有SiO₂层的SOI基板的所述表面Si层上设置具有多个光电转换元件的光电转换部，从而制作光电转换模块前体；和

采用权利要求1～5的任一项所述的蚀刻方法蚀刻所述光电转换模块前体的所述Si基板的自由面，

露出所述SiO₂层的开口部是光入射至所述光电转换部的入射面。