[发明专利]光电半导体芯片及其制造的方法有效
| 申请号： | 201180054262.0 | 申请日： | 2011-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN103190003A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | M.扎巴蒂尔;A.林科夫;C.克尔佩尔;M.施特拉斯堡;N.冯马尔姆 | 申请（专利权）人： | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/50;H01L33/08;H01L33/24 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 丁永凡;刘春元 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 说明了一种光电半导体芯片（10），其包括半导体层堆叠（2）和转换层（3）。半导体层堆叠（2）具有用于产生辐射的有源层（2a）。转换层（3）布置在半导体层堆叠（2）的辐射出射侧（21）上，其中转换层（3）适于将由有源层（2a）发射的辐射中的至少一部分转换成另一波长的辐射。半导体层序列（2）的辐射出射侧（21）具有第一纳米结构化部，其中转换层（3）布置在第一纳米结构化部（4）中。此外，说明了一种制造这种半导体芯片（10）的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 半导体 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种光电半导体芯片（10），其具有：‑ 半导体层堆叠（2），其具有设置用于产生辐射的有源层（2a）和辐射出射侧（21），以及‑ 转换层（3），其布置在半导体层堆叠（2）的辐射出射侧（21）上，其中‑ 转换层（3）适于将由有源层（2a）发射的辐射中的至少一部分转换成另一波长的辐射，‑ 半导体层序列（2）的辐射出射侧（21）具有第一纳米结构化部（4），以及‑ 转换层（3）布置在第一纳米结构化部（4）中。
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