[发明专利]光电半导体芯片及其制造的方法

权利要求书

1.一种光电半导体芯片（10），其具有：

- 半导体层堆叠（2），其具有设置用于产生辐射的有源层（2a）和辐射出射侧（21），以及

- 转换层（3），其布置在半导体层堆叠（2）的辐射出射侧（21）上，其中

- 转换层（3）适于将由有源层（2a）发射的辐射中的至少一部分转换成另一波长的辐射，

- 半导体层序列（2）的辐射出射侧（21）具有第一纳米结构化部（4），以及

- 转换层（3）布置在第一纳米结构化部（4）中。

2.根据权利要求1所述的半导体芯片，其中

半导体层堆叠（2）的有源层（2a）构建在第一纳米结构化部（4）的区域中，

其中第一纳米结构化部（4）由多个纳米棒和加深部组成并且有源层（2a）沿着第一纳米结构化部（4）构建，使得有源层（2a）分别沿着加深部的侧面和底面构建并且分别一体式地包围所述加深部。

3.根据上述权利要求之一所述的半导体芯片，其中第一纳米结构化部（4）构建为多个纳米棒。

4.根据上述权利要求之一所述的半导体芯片，其中转换层（3）完全填充第一纳米结构化部（4）使得构建平整的面。

5.根据上述权利要求之一所述的半导体芯片，其中转换层构建为第二纳米结构化部（5），所述第二结构化部包括多个纳米棒。

6.根据权利要求5所述的半导体芯片，其中第一纳米结构化部（4）和第二纳米结构化部（5）彼此布置为使得第一纳米结构化部（4）和第二纳米结构化部（5）彼此嵌接，和/或其中第一纳米结构化部（4）和第二纳米结构化部（5）梳状地构建。

7.根据上述权利要求4至6之一所述的半导体芯片，其中第一纳米结构化部（4）和第二纳米结构化部（5）彼此紧紧邻接，使得第一纳米结构化部（4）和第二纳米结构化部（5）在横向方向（R₁）上构建层序列，该层序列具有多个第一层（3a）和多个第二层（4a）。

8.根据上述权利要求之一所述的半导体芯片，其中转换层（3）附加地布置在第一纳米结构化部（4）上。

9.根据上述权利要求之一所述的半导体芯片，其中第一纳米结构化部（4）和/或第二纳米结构化部（5）分别具有在100nm与1μm之间的范围中的高度，其中包括本数。

10.根据上述权利要求之一所述的半导体芯片，其中半导体层堆叠（2）的有源层（2a）部分地构建在第一纳米结构化部（4）的区域中。

11.根据上述权利要求之一所述的半导体芯片，其中转换层（3）和半导体层堆叠（2）以光学方式和热学方式进行耦合。

12.根据上述权利要求之一所述的半导体芯片，其中半导体芯片（10）是薄膜芯片。

13.一种用于制造半导体芯片（10）的方法，具有如下方法步骤：

- 提供生长衬底（1），

- 将半导体层堆叠（2）生长到生长衬底（1）上，该半导体层堆叠（2）包括有源层（2a）和辐射出射侧（21），

- 在辐射出射侧（21）上构建第一纳米结构化部（4），以及

- 将转换层（3）引入第一纳米结构化部（4）。

14.根据权利要求13所述的方法，其中

生长半导体层堆叠（2）和构建第一纳米结构化部（4）包括如下步骤：

- 将半导体层堆叠（2）的第一层（2b）整面地生长到生长衬底（1），以及

- 借助掩膜层生长半导体层堆叠（2）的被结构化的第二层（2c）。

15.根据权利要求13或14所述的方法，其中施加转换层（3）包括：

- 将转换层（3b）引入第一纳米结构化部（4）中并且接着将基质材料（3c）添加到第一纳米结构化部（4）中，或

- 借助激光束蒸发施加转换层（3）。