[发明专利]太阳能电池及其制造方法有效
| 申请号： | 201180053691.6 | 申请日： | 2011-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN103201847A | 公开（公告）日： | 2013-07-10 |
| 发明（设计）人： | 森山隼;渡部武纪;村上贵志;月形信太郎;高桥光人;大塚宽之 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/04 | 分类号： | H01L31/04 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 张靖琳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种在单晶硅基板表面具有纹理构造的太阳能电池，涉及以在该基板的表面近旁具有基于单晶硅基板制作时的切割加工历史的破损层的太阳能电池，根据本发明，基于单晶硅基板表面近旁存在的基板制作时的切割加工历史的破损层作为吸附站实现功能，对基板的少数载流子的寿命提高有贡献。根据该效果，太阳能电池特性飞跃性地提高。此外，不是重新附加破损，而是利用切割所带来的破损，所以不增加工时。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种在单晶硅基板表面具有纹理构造的太阳能电池，其特征在于，在该基板的表面近旁具有基于单晶硅基板制作时的切割加工历史的破损层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
