[发明专利]太阳能电池及其制造方法

权利要求书

1.一种在单晶硅基板表面具有纹理构造的太阳能电池，其特征在于，在该基板的表面近旁具有基于单晶硅基板制作时的切割加工历史的破损层。

2.根据权利要求1所记载的太阳能电池，其特征在于，所述破损层的深度为0.2～5μm。

3.根据权利要求1或2所记载的太阳能电池，其特征在于，所述单晶硅基板的{100}面是主表面。

4.一种太阳能电池的制造方法，其特征在于，包含：对于在表面具有基于单晶硅基板制作时的切割加工历史的破损层的单晶硅基板，通过化学性蚀刻形成纹理的工序；形成p-n结的工序；和形成电极的工序，

以使基于所述单晶硅基板制作时的切割加工历史的破损层残存而在纹理形成后的基板表面近旁存在该破损层的方式，进行纹理形成。

5.根据权利要求4所记载的太阳能电池的制造方法，其特征在于，以使所述纹理形成后的破损深度为0.2～5μm的方式形成纹理。

6.根据权利要求4或5所记载的太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述单晶硅基板的主表面是{100}面，通过用碱性水溶液对于所述化学性蚀刻进行各向异性蚀刻，将所述纹理构造作为4个{111}面所围成的正角锥状的突起的集合体而形成。

7.根据权利要求4至6中任意一项所记载的太阳能电池的制造方法，其特征在于，对所述单晶硅基板的表面进行化学性蚀刻的碱性水溶液是包含氢氧化钠、氢氧化钾、碳酸钾、碳酸钠、碳酸氢钠中的任一种的水溶液。