[发明专利]III族氮化物半导体元件、制造III族氮化物半导体元件的方法及外延基板无效
| 申请号： | 201180053428.7 | 申请日： | 2011-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN103190042A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | 盐谷阳平;京野孝史;住友隆道;善积祐介;西塚幸司 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/323 | 分类号： | H01S5/323;H01L21/205;H01L33/16;H01L33/32 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 谢丽娜;关兆辉 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种具有氧浓度降低的p型氮化镓系半导体层的III族氮化物半导体元件。III族氮化物半导体元件(11)包括：基板(13)、n型III族氮化物半导体区域(15)、发光层(17)及p型III族氮化物半导体区域(19)。基板(13)的主面(13a)自与沿该第1氮化镓系半导体的c轴延伸的基准轴(Cx)正交的面(Sc)以50度以上且低于130度的范围的角度倾斜。p型III族氮化物半导体区域(19)包含第一p型氮化镓系半导体层(21)，第一p型氮化镓系半导体层(21)的氧浓度为5×1017cm-3以下。第一p型氮化镓系半导体层(21)的p型掺杂物浓度Npd与氧浓度Noxg的浓度比(Noxg/Npd)为1/10以下。 | ||
| 搜索关键词： | iii 氮化物 半导体 元件 制造 方法 外延 | ||
【主权项】：
一种III族氮化物半导体元件，其特征在于，包括：基板，其含有由第1氮化镓系半导体构成的主面、且具有导电性；以及III族氮化物半导体区域，其包含第一p型氮化镓系半导体层、且设置于上述主面上，上述基板的上述主面自与沿该第1氮化镓系半导体的c轴延伸的基准轴正交的面以50度以上且低于130度的范围的角度倾斜，上述第一p型氮化镓系半导体层的氧浓度Noxg为5×1017cm‑3以下，上述第一p型氮化镓系半导体层的p型掺杂物浓度Npd与上述氧浓度Noxg之比(Noxg/Npd)为1/10以下。
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