[发明专利]III族氮化物半导体元件、制造III族氮化物半导体元件的方法及外延基板

权利要求书

1.一种III族氮化物半导体元件，其特征在于，

包括：基板，其含有由第1氮化镓系半导体构成的主面、且具有导电性；以及

III族氮化物半导体区域，其包含第一p型氮化镓系半导体层、且设置于上述主面上，

上述基板的上述主面自与沿该第1氮化镓系半导体的c轴延伸的基准轴正交的面以50度以上且低于130度的范围的角度倾斜，

上述第一p型氮化镓系半导体层的氧浓度Noxg为5×10¹⁷cm^-3以下，

上述第一p型氮化镓系半导体层的p型掺杂物浓度Npd与上述氧浓度Noxg之比(Noxg/Npd)为1/10以下。

2.如权利要求1所述的III族氮化物半导体元件，其中，上述第一p型氮化镓系半导体层不含铟作为III族构成元素。

3.如权利要求1或2所述的III族氮化物半导体元件，其中，

还包括：n型氮化镓系半导体层，其设置于上述主面上；以及

氮化镓系半导体层，其用于发光层，

上述发光层设置于上述p型氮化镓系半导体层与上述n型氮化镓系半导体层之间，

该III族氮化物半导体元件为发光元件。

4.如权利要求3所述的III族氮化物半导体元件，其中，上述发光层的发光波长为440nm以上600nm以下。

5.如权利要求3或4所述的III族氮化物半导体元件，其中，上述发光层的发光波长为490nm以上600nm以下。

6.如权利要求3至5中任一项所述的III族氮化物半导体元件，其中，

还包括与上述III族氮化物半导体区域形成接触的电极，

上述III族氮化物半导体区域包含与上述电极形成接触的接触层以及p型III族氮化物半导体区域，

上述p型III族氮化物半导体区域设置于上述接触层与上述发光层之间，

上述p型III族氮化物半导体区域与上述接触层形成第1结，并且与上述发光层形成第2结，

上述p型III族氮化物半导体区域的氧浓度为5×10¹⁷cm^-3以下，

上述p型III族氮化物半导体区域的p型掺杂物浓度Npd与上述氧浓度Noxg之比(Noxg/Npd)为1/10以下。

7.如权利要求1至6中任一项所述的III族氮化物半导体元件，其中，上述第一p型氮化镓系半导体层由GaN、InGaN、AlGaN或InAlGaN构成。

8.如权利要求1至7中任一项所述的III族氮化物半导体元件，其中，上述第一p型氮化镓系半导体层由GaN或AlGaN构成。

9.如权利要求1至8中任一项所述的III族氮化物半导体元件，其中，上述第一p型氮化镓系半导体层的碳浓度为1×10¹⁷cm^-3以下。

10.如权利要求1至9中任一项所述的III族氮化物半导体元件，其中，

上述III族氮化物半导体区域还包含设置于上述主面上的第二p型氮化镓系半导体层，

上述第二p型氮化镓系半导体层的氧浓度为5×10¹⁷cm^-3以下，

上述第二p型氮化镓系半导体层含有铟作为III族构成元素，

上述第二p型氮化镓系半导体层的p型掺杂物浓度Npd与上述氧浓度Noxg之比(Noxg/Npd)为1/10以下。