[发明专利]二氢噁唑-2-胺衍生物

摘要

本发明涉及式(I)的化合物，其中R¹是氢或低级烷基；R²是氢或是任选地被以下各项取代的杂芳基：一个或多个卤素、低级烷基、被卤素取代的低级烷基、低级烷氧基、被卤素取代的低级烷氧基、氰基、S-低级烷基、S(O)-低级烷基、S(O)₂-低级烷基、C(O)-低级烷基或C_3-6-环烷基；R³是氢、卤素、低级烷基、被卤素取代的低级烷基、低级烷氧基、被卤素取代的低级烷氧基、氰基、S-低级烷基、S(O)-低级烷基、S(O)₂-低级烷基、C(O)-低级烷基或C_3-6-环烷基；R⁴是氢或低级烷基；(A)是苯基或吡啶基，其中N-原子可以在不同的位置；X是键或-CH(CF₃)-；Ar是任选地被一个或多个R³取代的芳基或杂芳基；或者涉及它们药学上合适的酸加成盐。现在发现式I化合物对痕量胺相关受体(TAAR)，尤其是TAAR1具有良好的亲和性。该化合物可以用于治疗抑郁症、焦虑症、双相型障碍、注意缺陷多动障碍(ADHD)、应激相关障碍、精神病性精神障碍如精神分裂症、神经病如帕金森病、神经变性疾病如阿尔茨海默病、癫痫、偏头痛、高血压、精神药物滥用和代谢性疾病如进食障碍、糖尿病、糖尿病并发症、肥胖症、异常脂肪血症、能量消耗和同化障碍、体温稳态紊乱和功能障碍、睡眠和昼夜节律障碍以及心血管疾病。

主权项

1.式I的化合物，其中R¹是氢或低级烷基；R²是氢或是任选地被以下各项取代的杂芳基：一个或多个卤素、低级烷基、被卤素取代的低级烷基、低级烷氧基、被卤素取代的低级烷氧基、氰基、S-低级烷基、S(O)-低级烷基、S(O)₂-低级烷基、C(O)-低级烷基或C_3-6-环烷基；R³是氢、卤素、低级烷基、被卤素取代的低级烷基、低级烷氧基、被卤素取代的低级烷氧基、氰基、S-低级烷基、S(O)-低级烷基、S(O)₂-低级烷基、C(O)-低级烷基或C_3-6-环烷基；R⁴是氢或低级烷基；是苯基或吡啶基，其中N-原子可以在不同的位置；X是键或-CH(CF₃)-；Ar是任选地被一个或多个R³取代的芳基或杂芳基；或其药学上合适的酸加成盐。