[发明专利]纯化硅烷的方法和系统有效
| 申请号： | 201180048451.7 | 申请日： | 2011-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN103153420A | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | T·D·特鲁昂;Z·谷;P·古普塔 | 申请（专利权）人： | MEMC电子材料有限公司 |
| 主分类号： | B01D3/14 | 分类号： | B01D3/14;C01B33/04 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 肖威;刘金辉 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了通过使用蒸馏和/或冷凝操作以较少硅烷损失于杂质料流中的方式纯化含硅烷料流的方法和系统。 | ||
| 搜索关键词： | 纯化 硅烷 方法 系统 | ||
【主权项】：
一种纯化含硅烷料流的方法，所述料流包含硅烷和一种或多种沸点高于硅烷的化合物，所述方法包括：将所述含硅烷料流引入重质尾部蒸馏塔中以产生相对于所述含硅烷料流而言富含硅烷的塔顶馏分和贫硅烷的塔底馏分，其中所述贫硅烷的塔底馏分包含硅烷且相对于所述含硅烷料流而言富含一种或多种沸点高于硅烷的化合物；和将所述贫硅烷的塔底馏分引入硅烷回收分离单元中以产生相对于由所述重质尾部蒸馏塔产生的贫硅烷的塔底馏分而言富含硅烷的馏分和贫硅烷的馏分。
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