[发明专利]用于共享感测MRAM的系统和方法有效
| 申请号： | 201180046801.6 | 申请日： | 2011-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN103140895B | 公开（公告）日： | 2016-11-23 |
| 发明（设计）人： | 金正丕;金泰贤 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 宋献涛 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 将MRAM阵列的电阻存储器单元指定为参考单元且编程到二进制0和二进制1状态，同时存取来自一个MRAM阵列的处于二进制0及处于二进制1的参考单元以获得参考电压来读取另一MRAM阵列的电阻存储器单元，同时存取来自另一MRAM阵列的处于二进制0及处于二进制1的参考单元以获得参考电压来读取所述一个MRAM阵列的电阻存储器单元。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 共享 mram 系统 方法 | ||
【主权项】：
一种磁性随机存取存储器MRAM，其包括：电阻性存储器，其具有拥有多个I/O的第一组和拥有另一多个I/O的第二组，所述I/O中的每一者具有电阻性存储器单元的阵列；参考节点；读取模式切换电路，其经配置以在第一读取模式及第二读取模式之间选择性地切换，其中，所述第一读取模式将所述第一组的第一I/O的电阻性存储器单元中的可选的一个电阻性存储器单元耦合到第一读取节点、将所述第一组的多个I/O中的第二I/O的电阻性存储器单元中的可选的一个电阻性存储器单元耦合到第二读取节点、将所述第二组的电阻性存储器单元中的第一两者或两者以上耦合到所述参考节点；其中，所述第二读取模式将所述第二组的多个I/O中的第一I/O的电阻性存储器单元中的可选的一个电阻性存储器单元耦合到所述第一读取节点、将所述第二组的多个I/O中的第二I/O的电阻性存储器单元中的可选的一个电阻性存储器单元耦合到所述第二读取节点、将所述第一组的电阻性存储器单元中的第二两者或两者以上耦合到所述参考节点，其中，所述电阻性存储器单元中的所述第一两者或两者以上中的一者处于所述第二组的多个I/O中的第一I/O中，且所述电阻性存储器单元中的所述第一两者或两者以上中的另一者处于所述第二组的多个I/O中的第二I/O中，及其中，所述电阻性存储器单元中的所述第二两者或两者以上中的一者处于所述第一组的多个I/O中的第一I/O中，且所述电阻性存储器单元中的所述第二两者或两者以上中的另一者处于所述第一组的多个I/O中的第二I/O中。
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