[发明专利]用于共享感测MRAM的系统和方法

权利要求书

1.一种磁性随机存取存储器MRAM，其包括：

具有多个电阻性存储器单元的电阻性存储器；

参考节点；及

读取模式切换电路，其经配置以在将所述电阻性存储器单元中的第一两者或两者以上耦合到所述参考节点的第一读取模式与将所述电阻性存储器单元中的第二两者或两者以上耦合到所述参考节点的第二读取模式之间选择性地切换。

2.根据权利要求1所述的MRAM，其进一步包括参考电流源，所述参考电流源耦合到所述参考节点，其中所述参考电流源经配置以产生穿过所述电阻性存储器单元中的所述第一两者或两者以上的第一参考电流，以在所述参考节点处产生参考电压。

3.根据权利要求2所述的MRAM，其中所述读取模式切换电路经配置以在所述第一读取模式中形成多个第一参考电流路径，所述第一参考电流路径中的每一者从所述参考节点延伸穿过所述第一两个或两个以上电阻性存储器单元中的对应一者，且在所述第二读取模式中形成多个第二参考电流路径，所述第二参考电流路径中的每一者从所述参考节点延伸穿过所述第二两个或两个以上电阻性存储器单元中的对应一者。

4.根据权利要求3所述的MRAM，其进一步包括读出放大器，所述读出放大器具有耦合到所述参考节点的参考输入且具有读取输入，其中所述读取模式切换电路进一步经配置以在所述第一读取模式中形成从所述读取输入穿过所述电阻性存储器单元中的另一者的第一读取模式读取电流路径。

5.根据权利要求4所述的MRAM，其中所述电阻性存储器单元包含：具有第一多个I/O的第一组电阻性存储器单元，其中每一I/O是电阻性存储器单元的阵列(I/O)；以及具有第二多个I/O的第二组电阻性存储器单元，其中所述电阻性存储器单元中的所述第一两者或两者以上中的一者处于所述第二多个I/O中的第一I/O中，且所述电阻性存储器单元中的所述第一两者或两者以上中的另一者处于所述第二多个I/O中的第二I/O中。

6.根据权利要求5所述的MRAM，其中所述读取模式切换电路经配置以在所述第一读取模式中形成从读出放大器的所述读取输入穿过所述第一多个I/O中的所述第一I/O中的电阻性存储器单元的读取电流路径，其中所述读取电流路径和所述第一参考电流路径具有大体上相等的电容。

7.根据权利要求5所述的MRAM，其中所述读出放大器包括第一读出放大器和第二读出放大器，所述第一读出放大器具有耦合到所述参考节点的参考输入且具有读取输入，所述第二读出放大器具有读取输入和耦合到所述参考节点的参考输入，所述第一读出放大器具有读取输出，且所述第二读出放大器具有读取输出。

8.根据权利要求7所述的MRAM，其中所述读取模式切换电路经配置以在所述第一读取模式中形成从所述第一读出放大器的所述读取输入穿过所述第一多个I/O中的所述第一I/O中的电阻性存储器单元的读取电流路径，同时形成从所述第二读出放大器的所述读取输入穿过所述第一多个I/O中的所述第二I/O中的电阻性存储器单元的读取电流路径。

9.根据权利要求8所述的MRAM，其中从所述第二读出放大器的所述读取输入穿过所述第一多个I/O中的所述第一I/O中的电阻性存储器单元的所述读取电流路径、从所述第二读出放大器的所述读取输入穿过所述第一多个I/O中的所述第二I/O中的电阻性存储器单元的所述读取电流路径，以及所述第一参考电流路径具有大体上相等的电容。

10.根据权利要求5所述的MRAM，其中所述第二多个I/O中的所述第一I/O中的所述电阻性存储器单元中的所述第一两者或两者以上中的所述一者是被编程到表示二进制0的状态的二进制0参考单元，且所述第二多个I/O中的所述第二I/O中的所述电阻性存储器单元中的所述第一两者或两者以上中的所述一者是被编程到表示二进制1的状态的二进制1参考单元。

11.根据权利要求10所述的MRAM，其中所述参考电流源经配置以产生所述第一参考电流，从而在流动到所述第二多个I/O中的所述第一I/O中的所述二进制0参考单元同时流动到所述第二多个I/O中的所述第二I/O中的所述二进制1参考单元时，在所述参考节点处产生大致处于表示二机制0的电压与表示二进制1的电压之间的一半的电压。