[发明专利]用于物理气相沉积腔室的沉积环及静电夹盘有效
申请号: | 201180045703.0 | 申请日: | 2011-10-07 |
公开(公告)号: | CN103140913A | 公开(公告)日: | 2013-06-05 |
发明(设计)人: | M·拉希德;K·A·米勒;R·王 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/203 | 分类号: | H01L21/203;H01L21/683 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 陆勍;刘佳 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明的实施例大体上关于用于半导体处理腔室的处理套件,以及具有该套件的半导体处理腔室。具体而言,此述的实施例关于包括沉积环与底座组件的处理套件。该处理套件的部件单独(及组合)运作以显著地减少它们在处理期间对基板周围的电场的影响。 | ||
搜索关键词: | 用于 物理 沉积 静电 | ||
【主权项】:
一种用在基板处理腔室中的沉积环,包含:第一圆柱,所述第一圆柱具有第一端与第二端;第一环状环,包含:内径;外径;顶部表面;以及底部表面,所述底部表面与所述顶部表面相对,其中所述第一环状环通过所述顶部表面的一部分耦接所述第一圆柱的所述第二端,所述顶部表面的所述部分邻接所述第一环状环的所述内径;第二圆柱,所述第二圆柱在第一端耦接所述底部表面的一部分,所述底部表面的所述部分邻接所述第一环状环的所述外径;第二环状环,包含:内径;外径;顶部表面;以及底部表面,所述底部表面与所述顶部表面相对,其中与所述第二环状环的所述内径邻接的所述顶部表面的一部分耦接与所述第一端相对的所述第二圆柱的第二端,且其中在所述第一圆柱的所述第一端与所述第二端之间的距离是所述第一圆柱的所述第一端与所述第二环状环的所述底部表面之间的距离的至少三分之一。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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