[发明专利]半导体器件的制造的方法无效
| 申请号： | 201180045384.3 | 申请日： | 2011-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN103098186A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | M.T.埃梅尼;P.O.杰克逊;D.J.瓦利斯 | 申请（专利权）人： | 秦内蒂克有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L29/51;H01L29/78;H01L29/772;H01L29/205;H01L23/31;H01L23/29 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 马红梅;刘春元 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 英国;GB |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制造半导体器件的方法，所述方法包括以下步骤：提供包括衬底(1)、缓冲层(2)以及一个或多个器件层(3)的堆叠半导体结构；将一层AlSb(4)沉积在所述堆叠结构的上表面的一个或多个区上；以及在存在水的情况下使所述AlSb层氧化以在所述上表面的所述一个或多个区上形成一层氧化铝(5)。所述半导体器件优选地是场效应晶体管，并且所述方法优选地包括沉积源、漏和/或栅电极(6,7,8)的附加步骤。在优选实施例中，所述方法被控制以便避免使中间AlSb结构暴露在大气下和/或氧化步骤在100℃与300℃之间的温度下进行。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体器件的方法，所述方法包括以下所述步骤：提供包括衬底、缓冲层以及一个或多个器件层的堆叠半导体结构；将一层AlSb沉积在所述堆叠结构的上表面的一个或多个区上；以及在存在水的情况下使所述AlSb层氧化以在所述上表面的所述一个或多个区上形成一层氧化铝。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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