[发明专利]半导体器件的制造的方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括以下所述步骤：

提供包括衬底、缓冲层以及一个或多个器件层的堆叠半导体结构；

将一层AlSb沉积在所述堆叠结构的上表面的一个或多个区上；以及

在存在水的情况下使所述AlSb层氧化以在所述上表面的所述一个或多个区上形成一层氧化铝。

2.根据权力要求1所述的方法，其中，所述AlSb层通过外延技术来沉积。

3.根据权力要求2所述的方法，其中，所述外延技术是MBE。

4.根据权力要求1至3中任一项所述的方法，其中，所述方法包括用于形成所述一个或多个区的掩模步骤。

5.根据任一前述权力要求所述的方法，其中，基本上所有的所述AlSb都被转换为氧化铝。

6.根据任一前述权力要求所述的方法，其中，所述氧化铝层的厚度与所述沉积的AlSb层的厚度相关。

7.根据任一前述权力要求所述的方法，其中，所述AlSb层被沉积到在氧化时产生能够作为钝化层的氧化铝层的厚度。

8.根据权力要求7所述的方法，其中，所述AlSb层被沉积到至少8个单层的厚度。

9.根据权力要求1至6中任一项所述的方法，其中，所述AlSb层被沉积到在氧化时产生能够作为介电材料层和/或作为用于一个或多个另外的材料层的后续沉积的受控表面的氧化铝层的厚度。

10.根据权力要求9所述的方法，其中，所述AlSb层被沉积到小于8个单层的厚度。

11.根据权力要求9或权力要求10所述的方法，其中，所述一个或多个另外的材料层是高介电常数介电材料的层。

12.根据任一前述权力要求所述的方法，其中，所述氧化步骤在100℃与300℃之间的温度下进行。

13.根据任一前述权力要求所述的方法，其中，所述方法被控制以便避免使所述中间AlSb结构暴露在大气下。

14.根据权力要求13所述的方法，其中，所述氧化步骤在UHV条件下进行。

15.根据任一前述权力要求所述的方法，其中，所述AlSb沉积步骤和氧化步骤在单独的反应室中进行。

16.根据权力要求15所述的方法，其中，所述中间AlSb结构在排除氧气的条件下被转移到第二反应室。

17.根据任一前述权力要求所述的方法，其中，所述缓冲层包括III-V族半导体，优选地三元III-V族半导体。

18.根据权力要求17所述的方法，其中，所述缓冲层包括Al_xIn_1-xSb。

19.根据任一前述权力要求所述的方法，其中，所述一个或多个器件层包括沟道层。

20.根据权力要求19所述的方法，其中，所述沟道层包括III-V族半导体或IV族半导体。

21.根据权力要求20所述的方法，其中，所述沟道层包括InSb或Sn。

22.根据任一前述权力要求所述的方法，其中，所述衬底包括GaAs或Si。

23.根据任一前述权力要求所述的方法，其中，所述半导体器件是用于场效应晶体管的前体结构。

24.根据任一前述权力要求所述的方法，其中，所述半导体器件是场效应晶体管，并且所述方法包括沉积源、漏和/或栅电极的附加步骤。

25.根据任一前述权力要求所述的方法，其中，所述半导体器件是FET，并且AlSb被沉积在包括至少所述栅极区的一个或多个区上。

26.根据权力要求24或权力要求25所述的方法，其中，一个或多个另外的介电材料在沉积所述栅电极之前被沉积在所述氧化铝层上。