[发明专利]发光陶瓷层压制件及其制造方法无效
| 申请号： | 201180045076.0 | 申请日： | 2011-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN103228762A | 公开（公告）日： | 2013-07-31 |
| 发明（设计）人： | 张彬;潘光;宫川浩明;藤井宏中;拉杰什·慕克吉;中村年孝 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | C09K11/77 | 分类号： | C09K11/77;B32B18/00;C01F17/00;C04B35/117;C04B35/44;H01L33/50 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 臧建明 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种层压的复合材料，包括波长转换层和不发光阻挡层，其中发光层包括石榴石主体材料和发光客体材料，所述不发光阻挡层包括不发光阻挡材料。当石榴石或石榴石类主体材料表示为A3B5O12时，构成不发光阻挡材料的金属元素的离子半径为A阳离子元素和/或构成发光客体材料的元素的离子半径的约80%或更低，不发光阻挡层基本上没有通过发光层和不发光阻挡层之间的界面迁移的发光客体材料。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 陶瓷 层压 制件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种陶瓷波长转换元件，包括：至少一个包括石榴石或石榴石类主体材料和发光客体材料的第一发光层，以及至少一个包括不发光阻挡材料的第一不发光阻挡层，所述不发光阻挡材料基本上由离子半径约为A阳离子元素和/或构成所述发光客体材料的元素的离子半径的约80%或更低的元素构成，其中所述石榴石或石榴石类主体材料表示为A3B5O12，其中所述第一发光层和所述第一不发光阻挡层彼此接触放置并烧结在一起，所述不发光阻挡层基本上没有通过第一发光层和第一不发光阻挡层之间的界面迁移的发光客体材料。
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