[发明专利]发光陶瓷层压制件及其制造方法

权利要求书

1.一种陶瓷波长转换元件，包括：

至少一个包括石榴石或石榴石类主体材料和发光客体材料的第一发光层，以及

至少一个包括不发光阻挡材料的第一不发光阻挡层，所述不发光阻挡材料基本上由离子半径约为A阳离子元素和/或构成所述发光客体材料的元素的离子半径的约80%或更低的元素构成，其中所述石榴石或石榴石类主体材料表示为A₃B₅O₁₂，

其中所述第一发光层和所述第一不发光阻挡层彼此接触放置并烧结在一起，所述不发光阻挡层基本上没有通过第一发光层和第一不发光阻挡层之间的界面迁移的发光客体材料。

2.根据权利要求1所述的陶瓷波长转换元件，其中所述第一发光层具有小于约200μm的厚度。

3.根据权利要求1所述的陶瓷波长转换元件，其中所述第一不发光阻挡层基本上由二元素材料构成。

4.根据权利要求3所述的陶瓷波长转换元件，其中所述二元素材料为Al₂O₃。

5.根据权利要求1所述的陶瓷波长转换元件，其中所述石榴石主体材料选自Y₃Al₅O₁₂、Lu₃Al₅O₁₂、Ca₃Sc₂Si₃O₁₂、(Y,Tb)₃Al₅O₁₂和(Y,Gd)₃(Al,Ga)₅O₁₂、Lu₂CaSi₃Mg₂O₁₂，和Lu₂CaAl₄SiO₁₂组成的群组。

6.根据权利要求1所述的陶瓷波长转换元件，其中构成所述发光客体材料的元素包括Ce。

7.根据权利要求6所述的陶瓷波长转换元件，其中构成所述发光客体材料的元素进一步包括Mn、Nd、Er、Eu、Cr、Yb、Sm、Tb、Gd和/或Pr。

8.根据权利要求1所述的陶瓷波长转换元件，进一步包括：包括不发光阻挡材料的第二不发光阻挡层，其中，构成所述第二不发光阻挡材料的金属元素的离子半径，当石榴石或石榴石类主体材料表示为A₃B₅O₁₂时约为A阳离子元素和/或构成发光客体材料的元素的离子半径的约80%或更低，其中所述第一发光层相接触地置于所述第一和第二不发光阻挡层之间，并烧结在一起，所述第二不发光阻挡层基本上没有通过第一发光层和第二不发光阻挡层之间的界面迁移的发光客体材料。

9.根据权利要求1所述的陶瓷波长转换元件，其中所述第一不发光阻挡层包括多个不发光阻挡材料子层。

10.根据权利要求9所述的陶瓷波长转换元件，其中所述第一发光层和所述第一不发光阻挡层的各子层均为陶瓷浇注带。

11.根据权利要求1所述的陶瓷波长转换元件，进一步包括第二发光层，所述第二发光层包括石榴石主体材料和发光客体材料，其中至少一个不发光阻挡层相接触地置于所述第二和第一发光层之间。

12.根据权利要求11所述的陶瓷波长转换元件，其中所述第一和第二发光层包括相同的石榴石主体材料和发光客体材料。

13.根据权利要求11所述的陶瓷波长转换元件，其中所述第一和第二发光层包括不同的石榴石主体材料。

14.根据权利要求13所述的陶瓷波长转换元件，其中所述第一和第二发光层包括相同的发光客体材料。

15.根据权利要求14所述的陶瓷波长转换元件，其中所述第一和第二发光层具有相同的发光客体材料浓度。

16.根据权利要求14所述的陶瓷波长转换元件，其中所述第一和第二发光层具有不同的发光客体材料浓度。