[发明专利]制造半导体基底材料的方法、半导体设备和电子装置

摘要

在通过抗蚀剂膜的曝光显影形成刻蚀掩模时，所述刻蚀掩模用于在半导体基底材料的衬底表面上形成重复的凹凸图案，本发明防止了通过重复曝光在抗蚀剂膜中曝光区彼此相邻的部分上的过度曝光导致的显影图案变形。在制造半导体基底材料的方法中，当通过抗蚀剂模的光刻工艺形成用于在半导体基底材料的表面上形成凹凸部分的刻蚀掩模时，使用转移掩模作为转移掩模100，所述转移掩模是通过对在曝光射束重叠的区域附近的曝光图案的点状遮光部104的尺寸进行预先进行校正而获得的转移掩模。

主权项

一种制造半导体基底材料的方法，该方法处理衬底使得衬底表面具有凹凸结构、并且在衬底上外延生长半导体层使得对所述凹凸结构进行掩埋，所述方法包括：通过光刻工艺在衬底表面上形成抗蚀剂掩模的步骤；以及使用抗蚀剂掩模选择性地刻蚀衬底以在衬底表面上形成凹凸结构的步骤，其中形成抗蚀剂掩模的步骤包括针对与转移掩模相对应的每一个曝光区、重复地执行将在转移掩模上形成的曝光图案转移到在衬底上形成的抗蚀剂膜上的工艺的曝光步骤，并且其中通过基于由于多次曝光导致的曝光量增加，对按照对应方式定位于对于相邻曝光区的曝光在抗蚀剂膜上彼此重叠的多次曝光部附近的遮光图案的尺寸进行校正，获得所述转移掩模。